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저주파수 (60 Hz) 플라스마 기상 증착법을 이용한 수소화된 비정질 탄소 박막 (a-C:H) 성장에서 아르곤 기체 효과 = Effect of Argon on the Deposition of Hydrogenated Amorphous Carbon (a-C:H) Films by Using Low-frequency (60 Hz) Plasma-enhanced Chemical-vapor Deposition
Hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) films were deposited on glass substrates by using lowfrequency (60 Hz) plasma-enhanced chemical-vapor deposition (LF-PECVD), and the effects of Ar gas on the deposition of the a-C:H films were investigated. The deposition rate when using a lowfrequency plasma with 9% Ar gas was 11 times faster than it was without Ar gas was, which could be explained based on the Penning effect of Ar gas. The surface roughnesses (RMS) of the a-C:H films deposited with and without Ar gas were 0.192 nm and 2.256 nm, respectively. In addition, the optical transmittances of the a-C:H films deposited with Ar exhibited values of approximately 32% in the visible region and 21% in the infrared region, which were higher than the values for the a-C:H film deposited without Ar. From these results, we concluded that the addition of Ar gas played an important role in enhancing the growth rate during LF-PECVD.
더보기본 연구에서는 상용 주파수로 사용되는 60 Hz 전원을 이용한 플라스마 기상 증착법으로 수소화된 비정질 탄소 박막을 형성하고, 9%의 아르곤을 첨가해 줌으로써 발생되는 현상에 대한 연구를 수행하였다. 반응 가스로는 CH4 : H2 : Ar = 5 : 95 : 0 인 혼합 가스와 CH4 : H2 : Ar = 5 : 86 : 9인 비율의 혼합 가스를 이용하고, 반응기 내부의 압력을 1.5 Torr로 설정하여 박막을 증착하였다. 먼저, 아르곤을 혼합했을 때가 혼합하지 않은 경우에 비해 약 11배 정도 빠른 박막 성막 속도를 보였다. 이는 플라스마 방전시 아르곤이 주입되면 페닝 효과에 의해 플라스마 방전 특성이 향상되어 나타나는 결과이다. 박막 표면의 거칠기 (RMS) 측정 결과, 아르곤을 혼합한 경우 0.192 nm, 아르곤을 혼합하지 않은 경우 2.256 nm로 확인되었다. 또한, 광 투과도를 측정한 결과에서 아르곤을 혼합한 박막이 가시광 영역에서는 약 32%, 적외선 영역에서는 약 21% 정도 높은 투과도를 보였다. 본 실험을 통해 소량의 아르곤을 혼합하여 수소화된 비정질 탄소 박막을 형성하는 경우에 증착 속도도 빠르고, 표면이 매우 평탄하고 적외선 영역에서 상대적으로 광 투과성이 우수한 박막을 획득할 수 있다는 결과를 확인하였다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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