KCI등재
다공성 흑연 소재를 이용한 바나듐 도핑된 반절연 SiC 단결정 성장의 특성 연구 = Vanadium-doped semi-insulating SiC single crystal growth by using porous graphite
저자
이동훈 (동의대학교) ; 김황주 (동의대학교) ; 김영곤 (동의대학교) ; 최수훈 (동의대학교) ; 박미선 (동의대학교) ; 장연숙 (동의대학교) ; 이원재 (동의대학교) ; 정광희 (사파이어테크놀로지) ; 김태희 (사파이어테크놀로지) ; 최이식 (사파이어테크놀로지) ; Lee, Dong-Hun ; Kim, Hwang-Ju ; Kim, Young-Gon ; Choi, Su-Hun ; Park, Mi-Seon ; Jang, Yeon-Suk ; Lee, Won-Jae ; Jung, Kwang-Hee ; Kim, Tae-Hee ; Choi, Yi-Sik 연구자관계분석
발행기관
학술지명
한국결정성장학회지(Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology )
권호사항
발행연도
2016
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
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215-219(5쪽)
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0
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소장기관
본 연구에서는 다공성 흑연 캡슐에 Vanadium carbide(VC) 분말을 채워 성장시킨 방법과 SiC 분말과 VC 분말을 혼합하여 다공성 흑연판을 그 위에 덮은 후 성장시키는 방법으로 진행하였으며, 성장된 결정들은 여러 분석방법을 사용하여 각각의 특성들을 관찰하였다. 반절연 SiC 성장은 6H-SiC 종자 결정을 사용하여 PVT(Physical Vapor Transport)법으로 성장을 진행하였다. 반절연으로 성장된 SiC 결정은 XRD를 이용하여 6H-SiC인 것을 확인하였으며, SIMS 분석결과 바나듐 도핑 농도가 바나듐 용해의 한계값 보다 높을 경우 석출물이 발생되며, 결정 품질 저하의 원인이 됨을 확인할 수 있었다.
더보기Vanadium-doped SiC crystals have been grown by using a porous graphite inner crucible filled with vanadium carbide (VC) and by using a porous graphite plate and SiC + VC powders, respectively. Semi-insulating SiC crystals were grown onto the 6H-SiC seed crystals by PVT (Physical Vapor Transport) method. The grown crystals were indicated to be 6H-SiC polytype by XRD. As result of SIMS analysis, vanadium-rich precipitates were observed when the vanadium concentration was relatively higher than the maximum solubility of vanadium ($3-5{\times}10^{17}cm^{-3}$) in vanadium-doped SiC crystals, which resulted in degradation of crystal quality.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2028 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2022-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2019-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2016-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | KCI등재 |
2015-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (기타) | KCI후보 |
2012-03-29 | 학술지명변경 | 외국어명 : Jounal of Korea Associaiton of Crystal Gorwth -> Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.24 | 0.24 | 0.23 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.2 | 0.17 | 0.244 | 0.09 |
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