KCI등재
SCOPUS
RF co-sputtering 법을 이용하여 제작된 Ti가 첨가된 In<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 박막의 광 및 전기적 수송 특성 = Optical and Electronic Transport Properties of Ti-doped In2O3 Thin Films Prepared by Using a rf Co-sputtering Method
Ti-doped In_2O_3 thin films were prepared by co-sputtering of TiO_2 and In_2O_3 targets on glass substrates at a temperature of 400℃. The sputtering power on the In_2O_3 target was fixed to 30 W while the power on TiO_2 target was varied from 0 to 40 W. The influence of the sputtering power on the TiO_2 target on the structural, electrical, and optical properties of the deposited thin films was investigated. All the films had a polycrystalline nature, but degradation of the crystallinity was observed in films grown at powers higher than 20 W on the TiO_2 target. The average transmittance of the thin films in the wavelength range of 500~1100 nm was over 85 %. A lower resistivity of 2.6 × 10^-4Ω·cm and a higher mobility of 44 ㎠/V·s, compared to the values for pure In_2O_3films,were obtained in Ti-doped I0_2O_3 films. These values are comparable to those of commercial indium tin oxide films, suggesting that Ti-doped In_2O_3 is a good candidate for a transparent conductive thin film.
더보기TiO_2 와 In_2O_3 두 개의 타겟을 이용하는 rf co-sputtering 방법으로 400℃에서 유리 기판 위에 Ti가 첨가된 In_2O_3박막을 제작하였다. 이 때 In_2O_3 타겟의 전력은 30 W로 고정하고TiO_2 타겟의 전력을 0 ~ 40 W로 변화시켜 Ti의 상대 농도를조절하였고 이에 따른 박막의 구조, 광 및 전기적 수송특성을조사하였다. 모든 박막에서 다결정 구조가 관측되었으며 TiO$_2$ 타겟의전력이 20 W보다 높아짐에 따라 결정성이 약화되는 현상을 보였다. 모든박막에서 평균 투과율은 500 ~ 1100 nm의 파장 영역에서 85%이상이었고, Ti 첨가로 인해 In_2O_3의 전기전도성이 향상됨이관측되었다. 최소 비저항은 2.6 × 10^-4Ω·cm로순수 In_2O_3 보다 낮았고 최대 홀 이동도는 44 ㎠/V·s로순수 In_2O_3 보다 더 높았다. 이 값들은 상용화된 indium tin oxide와 비슷한 수준이다. 따라서 Ti가 첨가된 In_2O_3박막도투명전도성 박막으로 적합하다고 여겨진다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)