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라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 In₂O₃ 박막의 특성에 산소 유량비의 변화가 미치는 효과
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학술지명
권호사항
발행연도
2010
작성언어
Korean
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등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
224-229(6쪽)
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산소 유량비의 변화가 라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 유리 기판 위에 증착된 In₂O₃ 투명 전도막의 특성에 미치는 효과를 조사하였다. 증착 온도는 400℃로 고정하였으며, 스퍼터링 가스와 반응성 가스로 각각 아르곤과 산소 가스를 사용하였다. 산소 유량비는 공급되는 혼합 가스양에 대한 산소의 유량으로 선택하여 10%, 20%, 30%, 40%, 50%로 조절하였다. 증착된 박막의 광학, 전기, 구조적인 특성은 자외선-가시광 분광기, 홀 측정 장치, X-선 회절장치와 전자주사현미경으로 조사하였다. 산소 유량비 20%로 증착된 In₂O₃ 박막은 430∼1,100 ㎚ 파장 영역에서 86%의 투과율과 1.1×10<SUP>-1</SUP> Ω㎝의 비저항 값을 나타내었다. 실험 결과는 산소 유량비를 적절히 제어함으로써 최적의 조건을 갖는 투명 전도막을 성장시킬 수 있음을 제시한다.
더보기Indium oxide (In₂O₃) thin films have been prepared on glass substrate by using radio-frequency reactive magnetron sputtering with changing the oxygen flow ratio. The substrate temperature was kept at a fixed value of 400℃, and the sputtering gas and reactive gas were supplied with argon and oxygen, respectively. The oxygen partial flow ratio was varied by controlling the amount of oxygen with respect to the total mixed gases, 10%, 20%, 30%, 40%, and 50%. The optical, electrical, and structural properties of the deposited thin films were investigated by using ultraviolet-visible-near infrared spectrophotometer, Hall measurement, and X-ray diffractometer and scanning electron microscopy. The In₂O₃ thin film deposited at 20% of oxygen flow ratio showed an average transmittance of 86% in the wavelength range of 430∼1,100 ㎚, an electrical resistivity of 1.1×10<SUP>-1</SUP> Ω㎝. The results show that the transparent conducting films with optimum conditions can be achieved by controlling the oxygen flow ratio.
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