(Ba. Pb)TiO_(3) 세라믹 半導體의 큐리점 移動에 관한 硏究 = (A) study on the shift of curie temperature of (Ba. Pb)TiO_(3) ceramic semiconductor
저자
발행사항
서울 : 明知大學校 大學院, 1988
학위논문사항
학위논문(석사)-- 明知大學校 大學院 : 電子工學科 1988. 2
발행연도
1988
작성언어
한국어
주제어
KDC
569.4 판사항(4)
발행국(도시)
서울
형태사항
42 p. : 삽도 ; 26 cm
일반주기명
참고문헌: p. 41-42
소장기관
고상합성법에 의해서 BaCO3 와 TiO2로부터 얻은 BaTiO3및 상용 BaTiO3에 dopant로서 Sb203 를 첨가하였을 때, 전기전도도를 증가시키는데 효과적 이였다. BaTiO3에 PbTiO3를 10 mole %,20 mole %,40 mole % 을 첨가하였을 때, PbTiO3의 첨가량에 따라서 순수 BaTiO3의 큐리온도 (Tc=120℃) 로 부터 높은 온도 영역에서 큐리온도가 발생하였다. PbTiO3의 첨가량에 따른 큐리점(curie point) 은 1 mole % 당 약 4℃의 증가현상을 보였다. PbTiO3의 조성비에 따라서(Ba.Pb)TiO3 시편의 소성온도 조건도 변화하였고 Pb조성비가 증가할수록 적정 소성온도는 하강 하였다.
더보기When Sb203 as a dopant is added into commercial BaTiO3 and BaTi03 made by Solid Synthesis with BaCO3 and TiO2,the electrical conduction is increased in more efficient way. The addition of PbTiO3 to BaTiO3 by 10 mole % , 20 mole %, 40 mole % respectively causes the curie points to occur at higher temperature than that of pure BaTiO3 (Tc=120℃). In case of PbTiO3 addition, the curie point shows about 4℃ increase by 1 mole %. In accordance with the mole ratio of PbTiO3,the condition of sintering temperature for the specimens of (Ba.Pb)TiO3 was alos changed; when the ratio of PbTiO3 was increased, the optimal sintering temperature was lowered.
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