SCOPUS
SCIE
Optimization of Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub> thin film by post oxidation of thermally evaporated alternate Sn and Zn metallic multi-layers
저자
R., Ramarajan ; M., Kovendhan ; Phan, Duy-Thach ; K., Thangaraju ; R., Ramesh Babu ; Jeon, Ki-Joon ; D., Paul Joseph
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2018
작성언어
-주제어
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
68-76(9쪽)
제공처
<P><B>Abstract</B></P> <P>An attempt to optimize Zn<SUB>2</SUB>SnO<SUB>4</SUB> (ZTO) thin film has been done by alternate thermal evaporation of ‘Sn’ and ‘Zn’ in the sequence Sn10/Zn15/Sn15/Zn15/Sn5 onto corning glass substrates and subsequent post oxidation process. The XRD patterns of as-deposited metallic thin films changed over from metallic to oxidized ZTO phase with cubic spinel structure along with ZnO phase. The film thickness and roughness increased apparently due to diffusion of oxygen into the metallic inter-layers. The binding energies estimated from the XPS data also indicated oxidation of the metallic multi-layers. Post-annealing of the film developed transparency in visible region to around 40%. The direct band gap of ZTO and ZnO were estimated to be 3.46 eV and 3.10 eV respectively. The annealed ZTO thin film was measured for electrical transport parameters by Hall Effect measurement. Raman spectrum observed at 668 cm<SUP>−1</SUP> is due to stretching vibration of short metal-oxide bonds in the MO<SUB>6</SUB> octahedron. The photoluminescence spectrum showed blue emission centered around 436 nm predominantly due to oxygen vacancies in addition to weak orange emission centered at 625 nm. Gas sensor using thin films of as-deposited and ZTO formed by post-annealing process showed significant sensing response for NO<SUB>2</SUB> gas. These results reveal that the ZTO thin film deposited by alternate thermal evaporation and subsequent post oxidation is worth exploring as transparent conducting electrode and also as a gas sensing material.</P> <P><B>Highlights</B></P> <P> <UL> <LI> Metallic Sn and Zn were deposited by a newer alternate evaporation in Sn10/Zn15/Sn15/Zn15/Sn5 sequence. </LI> <LI> Upon annealing, metallic multi-layers gets intermixed and oxidized leading to Zn<SUB>2</SUB>SnO<SUB>4</SUB> phase. </LI> <LI> Transparency in visible region was around 40% with 3.46 eV direct band gap value. </LI> <LI> The PL emission has a broad asymmetric peak in blue region due to free-to-bound recombination. </LI> <LI> The annealed film has a response/recovery time of 51/107 s for 50 ppm of NO<SUB>2</SUB>. </LI> </UL> </P> <P><B>Graphical abstract</B></P> <P>[DISPLAY OMISSION]</P>
더보기분석정보
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)