KCI등재
Ag 페이스트를 소스와 드레인 전극으로 사용한 OTFT-OLED 어레이 제작 = The Fabrication of OTFT-OLED Array Using Ag-paste for Source and Drain Electrode
저자
류기성(Gi Seong Ryu) ; 김영배(Young Bae Kim) ; 송정근(Chung Kun Song)
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
권호사항
발행연도
2008
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
12-18(7쪽)
KCI 피인용횟수
3
제공처
소장기관
본 연구는 PC(polycarbonate) 기판 위에 소스(source)/드레인(drain) 전극으로 Ag 페이스트를 스크린 인쇄하여 OTFT(organic thin film transistor)를 제작하였다. 또한 이렇게 제작된 OTFT를 적용하여 OTFT-OLED(organic light emitting diode) 어레이를 제작하였으며 OTFT의 소스 및 드레인 전극과 더불어 데이터 배선전극을 Ag 페이스트를 이용하여 형성하였다. Ag 페이스트는 스크린 마스크의 mesh에 따라 325 mesh용과 500 mesh용을 사용하였으며, 325 mesh용 페이스트는 선폭 60 ㎛, 500 mesh용 페이스트는 선폭 40 ㎛까지 인쇄가 가능하였다. 그리고 면저항은 각각 60 mΩ/□, 133.1 mΩ/□이었다. 제작된 OTFT의 성능은 이동도가 각각 0.35 ㎠/V·sec와 0.12 ㎠/V·sec, 문턱전압 -4.7 V와 0.9 V이었으며, 전류 점멸비는 ~10?이었다. OTFT-OLED 어레이는 인쇄성이 우수한 500 mesh용 Ag 페이스트를 사용하였으며 OTFT의 채널길이를 50 ㎛로 설계하여 제작하였다. OTFT-OLED 어레이의 화소는 2개의 OTFT, 1개의 캐패시터 그리고 1개의 OLED로 구성하였고, 크기는 2 ㎜ × 2 ㎜이며, 해상도는 16 × 16 이다. 제작된 어레이는 일부 불량 화소를 포함하고 있지만 능동형 모드로 동작함을 확인할 수 있었다.
더보기Ag paste was employed for source and drain electrode of OTFTs and for the data metal lines of OTFT-OLED array on PC(polycarbonate) substrate. We tested two kinds of Ag-pastes such as pastes for 325 mesh and 500 mesh screen mask to examine the pattern ability and electrical performance for OTFTs. The minimum feature size was 60 ㎛ for 325 mesh screen mask and 40 ㎛ for 500 mesh screen mask. The conductivity was 60 mΩ/□ for 325 mesh and 133.1 mΩ/□ for 500 mesh. For the OTFT performance the mobility was 0.35 ㎠/V·sec and 0.12 ㎠/V·sec, threshold voltage was -4.7 V and 0.9 V, respectively, and on/off current ratio was ~10?, for both screen masks. We applied the 500 mash Ag paste to OTFT-OLED array because of its good patterning property. The pixel was composed of two OTFTs and one capacitor and one OLED in the area of 2 ㎜ × 2 ㎜. The panel successfully worked in active mode operation even though there were a few bad pixels.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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