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반도체 레이저로 펌핑하는 수동형 Q-스위칭된 1178 nm Nd:YVO$_{4}$ 자체 라만 레이저 = Laser-Diode-Pumped Passively Q-switched Nd:YVO$_{4}$ Self-Raman Laser at 1178 nm
We constructed a passively Q-switched Nd:YVO$_{4}$ laser pumped by usnig a 808 nm laser diode. We converted a Q-switched 1064 nm laser into a 1178 nm laser by using a self-Raman process in the same Nd:YVO$_{4}$ laser crystal. We also investigated the output characteristics of the 1178 nm Raman laser. As a result, we found that the 1178 nm laser had an output power of 430 mW and a repetition rate of 95 kHz when the laser diode had a power of 18 W. The conversion efficiency of the pumping laser into 1178 nm and its single pulse energy were measured to be 2.4% and 4.5 $\mu$J, respectively. Also, the beam quality factor ($M^{2}$) was measured to be $M_{x}^{2}=1.19$ and $M_{y}^{2}=1.26$.
더보기파장이 808 nm인 반도체 레이저로 펌핑하는 Nd:YVO$_{4}$ 레이저를 Cr$^{4+}$:YAG 포화 흡수체를 이용하여 수동형 Q-스위칭시켰다. Q-스위칭된 1064 nm의 레이저 빔을 동일한 레이저 결정 내에서 자체 라만 과정을 통하여 1178 nm로 변화하여 발진시키고 출력 특성을 조사하였다. 펌핑 레이저의 출력이 18 W일 때 Q-스위칭된 1178 nm의 최대 출력은 430 mW, 주파수는 95 kHz이었다. 이로부터 1178 nm로 변환되는 효율은 약 2.4%이고, 펄스 하나당 에너지는 약 4.5 $\mu$J이었다. 빔의 질($M^{2}$)을 평가한 결과 $M_{x}^{2}=1.19$, $M_{y}^{2}=1.26$으로 나타났다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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