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ITO 에미터 전극을 갖는 InP/InGaAs HPT의 DC 특성 = The DC Characteristics of InP/InGaAs HPT's with ITO Emitter Contacts
저자
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
권호사항
발행연도
2002
작성언어
Korean
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
16-24(9쪽)
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본 논문에서는 광학적으로 투명한 ITO를 에미터 전극을 갖는 InP/InGaAs HPT를 제작하였고 제작된 HPT의 전기적 특성을 분석하기 위해 확장된 Ebers-Moll 방정식을 이용하여 DC 모델파라미터들을 추출하였다. 또한 초고속 전자소자로서 사용되어지는 InP/InGaAs HBT를 제작하여 그 전기적 특성을 HPT와 비교하였다. 제작된 HPT의 에미터 접촉 저항(RE)값이 6.4Ω으로 HBT와 거의 동일함은 물론 HPT의 모든 DC 모델 파라미터들이 HBT 와 유사함을 알 수 있었다.
더보기In this paper, we fabricated heterojunction phototransistors(HPT's) with optically transparent ITO emitter contacts. Heterojunction transistors(HBT's) having the same device layout were fabricated to compare with HPT's. The model parameters of the devices were extracted and compared. Emitter contact resistance(RE) of the HPT was about 6.4Ω, which was very similar to that of HBT and the other DC model parameters of the InP/InGaAs HPT showed the similarities to those of the HBT.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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