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CF4 플라즈마 처리를 통한 AlGaN/GaN 쇼트키 배리어 다이오드의 정전기 방전 특성 향상 = Effects of CF4 Plasma Treatment on Electrostatic Discharge Performance of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes
In this research, CF$_4$ plasma treatment was performed to improve the reliability of the Schottky barrier diode. The investigation of the Schottky barrier diode focused on improving in the leakage current, breakdown voltage and electrostatic discharge (ESD) characteristics of the device. The CF$_4$ plasma treatment was performed using CF$_4$ (30 sccm) gas under a 50 W RF power and a 10 mTorr working pressure on the surface of an AlGaN layer for 30 seconds. The current of the device was decreased when the plasma treatments were used. The forward current was decreased 7$\sim$12 times, and the leakage current was decreased 95$\sim$1100 times, as well. However, the breakdown voltage and the ESD characteristics of the devices were improved because of the decrease in the leakage current. The measurements of ESD were conducted using human body model (HBM), and the ESD characteristics of the device were improved by plasma treatments. With increasing area of the Schottky diode, the ESD characteristics were dramatically improved. Therefore, the CF$_4$ plasma treatment in the area of the AlGaN/GaN SBD can be concluded to have improved the robustness of the device (resistance to an ESD) by decreasing the leakage current.
더보기AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드 (Schottky barrier diode)의 정전기 방전 (electrostatic discharge) 특성 개선을 위해 CF$_4$ 플라즈마 처리를 소자에 적용하여 전기적 특성변화를 분석하고 원인 규명을 시도하였다. CF$_4$ 플라즈마 처리는 쇼트키 영역에만 CF$_4$ 30 sccm 유량으로 30초 동안 50와트의 RF 전력으로 진행하였는데, AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 전류는 CF$_4$ 플라즈마 처리에 의해 감소하였으며 순방향 전류는 7$\sim$12 배, 누출 전륜는 95$\sim$110 배 감소하였다. 누출 전류의 감소로 정전기 방전에 대한 내성 역시 증가하였고, 쇼트키 장벽 다이오드의 양극 면적과 상관없이 CF$_4$ 플라즈마 처리에 의해 정전기 방전에 대한 내성이 4배 이상 향상되었다. 이것은 CF$_4$ 플라즈마 처리에 의해 형성된 트랩 때문이다. 결과적으로 CF$_4$ 플라즈마 처리는 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 정전기 방전 특성 향상에 큰 역할을 함을 알 수 있었다
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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