KCI등재
HVPE 후막 a-plane GaN 결정의 성장과 특성 = Growth and characteristics of HVPE thick a-plane GaN layers
저자
이충현 (한국해양대학교) ; 황선령 (한국해양대학교) ; 김경화 (한국해양대학교) ; 장근숙 (한국해양대학교) ; 전헌수 (한국해양대학교) ; 안형수 (한국해양대학교) ; 양민 (한국해양대학교) ; 배종성 (한국기초과학지원연구원) ; 김석환 (안동대학교) ; 장성환 (삼성전기) ; 이수민 (삼성전기) ; 박길한 (삼성전기) ; Lee, C.H. ; Hwang, S.L. ; Kim, K.H. ; Jang, K.S. ; Jeon, H.S. ; Ahn, H.S. ; Yang, M. ; Bae, J.S. ; Kim, S.W. ; Jang, S.H. ; Lee, S.M. ; Park, G.H. ; Koike, M.
발행기관
학술지명
한국결정성장학회지(Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology )
권호사항
발행연도
2007
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
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1-5(5쪽)
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본 연구에서는 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 r-plane 사파이어 기판 위에 무극성의 (11-20) a-plane GaN을 성장하여 구조적인 특성을 관찰하였다. HVPE 방법으로 저온($500/550/600/660^{\circ}C$)에서 성장한 AIN 버퍼층이 고온의 a-GaN에 미치는 영향을 확인하였다. 또한, AIN 버퍼층과의 비교를 위하여 저온에서 성장한 GaN 버퍼층과 InGaN 버퍼층 같은 다양한 버퍼층을 이용하여 a-plane GaN의 성장도 실시하였다. 고온에서 성장된 a-GaN의 구조적 형상은 저온버퍼층의 성장 조건에 크게 영향을 받음을 알 수 있었다. $GaCl_3$ 전 처리를 실시하고 $820^{\circ}C$에서 성장한 경우에 가장 평탄한 표면을 가지는 a-GaN을 얻을 수 있었다.
더보기The structural and morphological properties of planar, nonpolar (11-20) a-plane GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on (1-102) r-plan sapphire substrates are characterized. We report on the effect of low temperature ($500/550/600/660^{\circ}C$) AIN buffer layers on the structural properties of HVPE grown a-GaN kayers. and for the comparison, low temperature GaN and InGaN buffer layers are also tried for the growth of a-plane GaN layers. The structural geometry of a-GaN layers is severely affected on the growth condition of low temperature buffer layers. The most planar a-GaN could be obtained with $GaCl_3$ pretreatment at the growth temperature of $820^{\circ}C$.
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2012-03-29 | 학술지명변경 | 외국어명 : Jounal of Korea Associaiton of Crystal Gorwth -> Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology | KCI등재 |
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2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
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2016 | 0.24 | 0.24 | 0.23 |
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