The Electrical and Optical Properties of CdTe Semiconductor Flims = CdTe 반도체 박막의 전기 및 광학적 특성
저자
Kim, Young-You (공주대학교 자연과학대학 물리학과) ; Ryu, Ji-Wook (공주대학교 자연과학대학 물리학과) ; Hong, Sa-Yong (공주대학교 자연과학대학 물리학과) ; Park, Kook-Sang (공주대학교 자연과학대학 물리학과)
발행기관
公州大學校 基礎科學硏究所(Research Institute for Basic Science Kongju National University)
학술지명
권호사항
발행연도
1994
작성언어
English
KDC
420.000
자료형태
학술저널
수록면
5-11(7쪽)
제공처
소장기관
유리 기판위에 전자 beam으로 증착된(EBE) CdTe박막의 구조와 전기전도도및 광전도도를 조사하였다. 그 구조는 거의 hexagonal phase 이며 cubic phase가 약간 포함된 다결정이었다. 암전기전도도는 10-8Ω-lcm-l 정도이고, 300℃에서 1시간의 열처리에 의해 약간 증가되었다. 온도가 증가됨에 따라 전기진도도로부터 계산된 활성화 에너지는 실온에서 증착된 박막의 경우 1.446eV이었다. 흡수계수로부터 구한 강하적 에너지 간격은 직접천이인 경우 1.52eV이었고 간접천이인 경우 1.44eV이었다. 박막의 광전도도는 약 10-8Ω-lcm-l 정도이고, 실온에서 대략 600nm일 때 가장 크다. 광전기전도도는 850nm에서 증가하기 시작하며 이는 CdTe 다결정의 활성화 에너지인 1.446eV와 근사하다.
더보기The structure and the conductivity of the CdTe films evaporated on the glass substrates by electron beam evaporator(EBE) were investigated. The structure is observed to be polycrystalline whose phase is mainly hexagonal phase with some cubic phase. Dark electric conductivity is of the order of 10-8Ω-lcm-l and slightly increased by annealing for 1hr at 300℃. Activation energy calculated from the electrical conductivity which varies with temperature is 1.446eV at room temperature. The optical band gap is 1.52eV in direct transition whereas 1.44eV in indirect. The photoconductivity of the films is of the order of 10-8Ω-lcm-l and the peak energy is about 600nm in the room temperature. The photoconductivity starts to increase at 850nm, which is close to 1.446eV, the activation energy of CdTe polycrystal fims.
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