KCI우수등재
SCOPUS
실리콘산화막의 광루미니센스 변화에 관한 연구
저자
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2000
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
216-220(5쪽)
제공처
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실리콘이온 주입후 1100℃에서 열처리된 실리콘 산화막에서 Si^+ dose 량의 변화에 대한 광루미니센스의 변화를 관찰하였다. 모든 시료에서 가시광과 적외선영역의 광루미니센스를 관찰할 수 있었다. 광루미니센스의 peak는 7000 Å, 7400 Å, 그리고 8400 Å 근처에 있었으며, Si^+ dose량이 변함에 따라 peak의 위치와 강도가 변하였다. 이온 주입되는 Si^+ dose량이 1×10^(17)/㎠일 때 광루미니센스에서 특이하게 3개의 peak를 가지고 있었으며 다른 Si^+ dose량의 시료에 비하여 큰 강도를 보여준다. 주업된 Si^+ 이온들이 실리콘 산화막내에서 결함을 생성하여서 광루미니센스에 기여를 한다. Si^+ dose량과 열처리 시간등을 변화시키면 높은 에너지의 O위주 radiative defect, 낮은 에너지의 Si위주 radiative defect, 그리고 nonradiative defect들이 관계하는 것으로 생각되어져 왔으나 적절한 Si^+ dose량으로 더 많은 radiative defect를 생성시킬 수 있음을 확언하였다. Si^+ dose량을 조절함으로서 광루미니센스의 peak의 위치와 강도를 제어할 수 있을 것이다.
더보기Photoluminescence (PL) results of Si^+-implanted SiO₂ films on crystalline silicon are reported. Visible and infrared PL are observed for all the samples. The PL spectrums have about 7000 Å, 7400 Å and 8400 Å peak positions. As amount of Si^+ ion dose changed, the PL peak positions and intensity are changed. In particular, the PL spectrum has three peaks and more intensity than the other Si^+ ion implantation samples for 1×10^(17)/㎠ Si^+ ion implantation. Not nanocrystal but defects that st ions created are contributed to the PL spectrum. For the changes of Si^+ ion dose and annealing time, O rich radiative defects, Si rich radiative defects, and nonradiative defects control the PL spectrum. We confirmed that more radiative defects can be created by control of Si^+ ion dose.
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