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고효율 결정질 실리콘 태양전지 적용을 위한 p타입 에미터 표면의 전계 효과를 이용한 실리콘 산화막 패시베이션 = Passivation of Plasma Oxidized SiOX Layer Using Field Effect on p-type Emitter Surface for High Efficiency c-Si Solar Cell Application
저자
박수영 ( Sooyoung Park ) ; 심경배 ( Gyungbae Shim ) ; 한상욱 ( Sanguk Han ) ; 안시현 ( Shihyun Ahn ) ; 박철민 ( Cheolmin Park ) ; 조영현 ( Younghyun Cho ) ; 김현후 ( Hyunhoo Kim ) ; 이준신 ( Junsin Yi )
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2017
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49-54(6쪽)
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The surface passivation is one of the crucial steps to achieve high conversion efficiencies in c-Si solar cells. A thermally stable thin film with a negative charge (for p-type surface) passivation layer is required to develop a good front passivation suitable for n-type c-Si solar cells. Silicon suboxide (SiOX) layer using PECVD provides a good passivation layer which has low temperature process and charge control in thin-film layer. In this paper, a PECVD stack layer consisting of SiOX and SiNX was employed for front side passivation. The optimal refractive index of SiOX and SiNX were found by varying the silane (SiH<sub>4</sub>), ammonia (NH<sub>3</sub>) and nitrous oxide (N<sub>2</sub>O) gas ratio for decrease optical loss. -1.71 × 10 <sup>11</sup> cm<sup> -2</sup> of negative charge (Q<sub>f</sub>) and 5×10 10 cm <sup>-2</sup> eV <sup>-1</sup> of D<sub>it</sub> (interface trap density) were obtained at 10 nm thick SiOX thin-film. With this optimized SiOx/SiNx stack layer on p <sup>+</sup> surface wafer using PECVD, the effective lifetime of 280 ㎲ and implied VOC of 690 mV were achieved. It is expected that the efficiency of the n-type silicon solar cell can be improved by applying the optimized SiOx condition to the front passivation layer.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2027 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2021-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2018-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | KCI등재 |
2013-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (기타) | KCI후보 |
2012-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (기타) | KCI후보 |
2010-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
2007-04-03 | 학회명변경 | 한글명 : (사)한국신·재생에너지학회 -> 한국신·재생에너지학회 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.4 | 0.4 | 0.4 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.44 | 0.44 | 0.576 | 0.12 |
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