다공질 실리콘의 미세구조에 관한 연구 = Finestructures of Porous Silicon
저자
金英猷 (공주대학교 자연과학대학 물리학과) ; 洪思容 (공주대학교 자연과학대학 물리학과) ; 崔哲鍾 (공주대학교 자연과학대학 물리학과)
발행기관
公州大學校 基礎科學硏究所(Research Institute for Basic Science Kongju National University)
학술지명
권호사항
발행연도
1994
작성언어
Korean
KDC
420.000
자료형태
학술저널
수록면
13-18(6쪽)
제공처
소장기관
단결정 실리론(p형)을 불화수소 속에서 양극 산화반응으로 다공질 실리콘을 제작하고 SEM과 AFM을 이용하여 그 미세구조를 조사하였다. 그리고 액체접촉에 의한 전기루미네선스(EL) 결과와 비교하여 논의 하였다. 이 결과 다공질 실리콘의 표면에는 0.1㎛정도의 미세입자가 형성되었으며, 이때 입자의 외형은 제작시간의 증가에 따라 다공도가 증가하여 입자로서의 형태가 뚜렷해졌으며 그 크기는 약간 작아졌다. 이 입자를 AFM으로 관찰한 결과 10nm정도의 미세한 실리콘 기둥과 이들 사이의 구멍으로 형성된 미세한 세선(細線)으로 형성되어 있었다. 한편 발광에 기여하는 구조는 미세입자라기 보다는 미세입자에 형성된 미세세선인 것으로 보여진다. 그리고 다공질 실리콘에서의 전기루미네선스의 최대 스펙트럼은 다공도에 영향을 받아 미세구조와 상당한 관계가 있는 것으로 나타났다.
더보기The porous silicon layers(PLS) were formed by electrochemical anodization of p-type Si wafers in 10%HF-ethanol solution. The micrometer to nanometer scale finestructures of porous silicon are investigated by using high resolution scanning electron microscope and atomic force microscope. The electroluminescence(EL) from PLS was investigated silicon/electrolyte interface in Na2SO4 aqueous solution. SEM and AFM observations revealed that the micrometer-scale structures of porous silicon are greatly depended on anodization time at costant current density. In contrast to these structures, nanometer-scale structures of porous silicon consisted of single crystalline silicon column and holes which have sizes of about tens nm. The EL spectrum changed by the porosity of finestructures.
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