SCOPUS
KCI등재
Reactive Sputtering으로 제조된 /SrBi_2Ta_2O_9$박막의 전기적 특성에 미치는 조성의 영향 = Effect of Composition on Electrical Properties of SBT Thin Films Deposited by Reactive Sputtering
저자
박상식 ; 양철훈 ; 채수진 ; 윤손길 ; 김호기 ; Park, Sang-Sik ; Yang, Cheol-Hun ; Chae, Su-Jin ; Yun, Son-Gil ; Kim, Ho-Gi
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1996
작성언어
Korean
등재정보
SCOPUS,KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
931-936(6쪽)
제공처
소장기관
비휘발성 메모리 소자에의 적용을 위한 SrBi2Ta2O9(SBT)박막이 고순도의 Sr, Bi, Ti 금속타겟을 사용하여 Pt/Ti/SiO2/Si 기판 위에 reactive sputtering 법에 의해 증착되었다. 조성의 영향을 평가하기 위하여 Bi 타겟에 인가되는 전원의 변화와 열처리에 따른 C-F(capacitance-frequency), P-E(polarization-electric field), I-V(current-voltage)등의 전기적 특성이 조사되었다. Bi의 양이 증가함에 따라 Bi layer 구조를 나타내는 (105)회절 피크가 증가하였고 $700^{\circ}C$, 산소분위기에서 1시간 동안 열처리후 Sr과 Bi가 심하게 휘발되었으며 박막의 미세구조는 다공질이 되었다. 이러한 이유로 열처리된 박막의 누설 전류 밀도는 증가하였다. 열처리된 시편의 조성은 거의 화학양론비를 이루었으며 4.5$\mu$C/$\textrm{cm}^2$의 Pr값을 갖는 강유전(ferroelectric)특성을 나타내었다.
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