Si(lmn) 표면 반전층의 전자적 부띠에너지에 대한 에너지띠구조 효과 = Band-structure Effects on the Electron subband Energies in Si(lmn) Surface Inversion Layers
저자
이경수 (Department of Physics, Pusan National University)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1994
작성언어
Korean
KDC
500
자료형태
학술저널
수록면
641-648(8쪽)
제공처
임의의 표면 배향을 갖는 Si 표면 반전층 내 전자들의 유효질량과 부띠(subband)에너지를 고찰하였다. 본 논문에서는 <110>축 주위로 (110)면에서 (111)면 쪽으로 임의의 각도 θ만큼 회전하여 얻는 표면배향을 가지는 Si(lmn) 표면 공간전하층의 역유효질양 텐서 α를 θ의 함수로 얻은 다음, 하아트리 근사 변분파동함수를 바탕으로 한 다체섭동 계산방법으로 전기적 부띠 에너지를 구하였다. 표면배향에 따른 부띠구조를 조사함으로써 에너지띠 구조의 영향을 알아보았다. 교환-상관 에너지 범함수를 단일입자 슈뢰딩거 방정식에 도입함으로써 좀더 개선된 바탕을 써서 전자-전자 상호작용 효과를 고찰하였다.
Effective masses and subband energies are examined for the electrons in silicon surface inversion layers with various surface orientations. In this paper expressions of the inverse effective mass tensors αare derived for the Si(lmn) space charge layers with surface orientations obtained by rotating from (110) to (111) by θ around <111> and the electric subband energies are evaluated within a many body perturbation method based on the Hartree variational wavefunctions. By examining the subband structures for various surface orientations the band-structure effects are investigated. The effects of the electron-electron are included using a more improved set of basis-functions, which are obtained by employing an exchange-correlation functional in the single-particle Schroedinger equation.
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