KCI등재
SCIE
SCOPUS
Structural analysis of InAs1-xSbx epilayer considering occurrence of crystallographic tilt exploiting high-resolution X-ray diffraction
저자
In-Young Jung (Korea Research Institute of Standards and Science) ; Minhyuk Choi (Korea Research Institute of Standards and Science) ; Jeongtae Kim (Korea Research Institute of Standards and Science) ; Vivek Mohan More (Korea Research Institute of Standards and Science) ; Sang Jun Lee (Korea Research Institute of Standards and Science) ; Eun Kyu Kim (Hanyang University) ; Chang-Soo Kim (Korea Research Institute of Standards and Science) ; Seungwoo Song (Korea Research Institute of Standards and Science)
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2022
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English
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KCI등재,SCIE,SCOPUS
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학술저널
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205-214(10쪽)
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InAs 1−x Sb x epilayer has nonlinearity bandgap energy between 180 and 350 meV according to the relative composition x of Sb at room temperature. For this reason, the wavelengths operating as a photodetector are in the mid-infrared (3–5 μm) and long-wavelength infrared range (8–12 μm). Photodetectors of these wavelengths can be used in the fields of pollutant detection, infrared thermal imaging, lidars, or optical countermeasures. Since the bandgap energy of InAs 1−x Sb x epilayer changes according to the relative composition of Sb, the measurement of InAs 1−x Sb x epilayer composition is crucial for predicting device characteristics. In this study, high-resolution X-ray diffraction was used to measure the mean composition of specimens without damaging the specimens of InAs 1−x Sb x epilayer. InAs 1−x Sb x thin films were grown epitaxially on the GaSb substrate having a similar lattice constant as the thin films by utilizing the molecular beam epitaxy method at various growth temperature conditions. Here, tilt of the growth direction in InAs 1−x Sb x thin films was observed despite having no off -cut angle of the GaSb substrate. Cases considering and not considering the tilt of the growth direction were analyzed to show a 3% difference in the relative composition of Sb in InAs 1−x Sb x thin films. Accordingly, this study revealed that the growth tilt of the epilayer must be taken into account when measuring the precise composition of InAs 1−x Sb x thin films grown on a GaSb substrate using high-resolution X-ray diffraction.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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학술지등록 | 한글명 : Electronic Materials Letters외국어명 : Electronic Materials Letters | ||
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2013-10-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (기타) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (기타) | KCI후보 |
2009-12-29 | 학회명변경 | 한글명 : 대한금속ㆍ재료학회 -> 대한금속·재료학회 | KCI후보 |
2008-01-01 | 평가 | SCIE 등재 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 1.68 | 0.41 | 1.08 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.89 | 0.83 | 0.333 | 0.06 |
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