SCI
SCIE
SCOPUS
The enhancement of electrical and optical properties of PEDOT:PSS using one-step dynamic etching for flexible application
저자
Lim, K. ; Jung, S. ; Lee, S. ; Heo, J. ; Park, J. ; Kang, J.W. ; Kang, Y.C. ; Kim, D.G.
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2014
작성언어
-주제어
등재정보
SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
1849-1855(7쪽)
제공처
The conductivity enhancement of poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) by dynamic etching process was investigated to introduce the outstanding and simplest method for soft electronics. Four different samples which were pristine PEDOT:PSS, PEDOT:PSS doped with 5wt.% DMSO, PEDOT:PSS with dipping process, and PEDOT:PSS with dynamic etching process were prepared to compare the properties such as conductivity, morphology, relative atomic percentage, and topography. All samples were characterized by four point probe, current atomic force microscopy (C-AFM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and UV-visible spectroscopy. The conductivity of the sample with dynamic etching process showed the highest value as 1299S/cm among four samples. We proved that the dynamic etching process is superior to remove PSS phase from PEDOT:PSS film, to flow strong current through entire surface of PEDOT:PSS, and to show the smoothest surface (RMS 2.28nm). XPS analysis was conducted for accurate chemical and structural surface environments of four samples and the relative atomic percentage of PEDOT in the sample with dynamic etching was the highest as 29.5%. The device performance of the sample with the dynamic etching process was outstanding as 10.31mA/cm<SUP>2</SUP> of J<SUB>sc</SUB>, 0.75eV of V<SUB>oc</SUB>, 0.46 of FF, and 3.53% of PCE. All properties and the device performance for PEDOT:PSS film by dynamic etching process were the most excellent among the samples.
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