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A Ru–Pt alloy electrode to suppress leakage currents of dynamic random-access memory capacitors
저자
Pyeon, Jung Joon ; Cho, Cheol Jin ; Jeong, Doo Seok ; Kim, Jin-Sang ; Kang, Chong-Yun ; Kim, Seong Keun
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2018
작성언어
-등재정보
SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
455202
제공처
<P>Rutile TiO<SUB>2</SUB>, a high temperature phase, has attracted interest as a capacitor dielectric in dynamic random-access memories (DRAMs). Despite its high dielectric constant of >80, large leakage currents caused by a low Schottky barrier height at the TiO<SUB>2</SUB>/electrode interface have hindered the use of rutile TiO<SUB>2</SUB> as a commercial DRAM capacitor. Here, we propose a new Ru–Pt alloy electrode to increase the height of the Schottky barrier. The Ru–Pt mixed layer was grown by atomic layer deposition. The atomic ratio of Ru/Pt varied in the entire range from 100 at.% Ru to 100 at.% Pt. Rutile TiO<SUB>2</SUB> films were inductively formed only on the Ru–Pt layer containing ≤43 at.% Pt, while anatase TiO<SUB>2</SUB> films with a relatively low dielectric constant (∼40) were formed at Pt compositions?>?63 at.%. The Ru–Pt (40–50 at.%) layer also attained an increase in work function of ∼0.3–0.4 eV, leading to an improvement in the leakage currents of the TiO<SUB>2</SUB>/Ru–Pt capacitor. These findings suggested that a Ru–Pt layer could serve as a promising electrode for next-generation DRAM capacitors.</P>
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