SCOPUS
SCIE
Molecular Beam Epitaxy of Highly Crystalline Monolayer Molybdenum Disulfide on Hexagonal Boron Nitride
저자
Fu, Deyi ; Zhao, Xiaoxu ; Zhang, Yu-Yang ; Li, Linjun ; Xu, Hai ; Jang, A-Rang ; Yoon, Seong In ; Song, Peng ; Poh, Sock Mui ; Ren, Tianhua ; Ding, Zijing ; Fu, Wei ; Shin, Tae Joo ; Shin, Hyeon Suk ; Pantelides, Sokrates T. ; Zhou, Wu ; Loh, Kian Ping
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2017
작성언어
-등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
9392-9400(9쪽)
제공처
<P>Atomically thin molybdenum disulfide (MoS2), a direct-band-gap semiconductor, is promising for applications in electronics and optoelectronics, but the scalable synthesis of highly crystalline film remains challenging. Here we report the successful epitaxial growth of a continuous, uniform, highly crystalline monolayer MoS2 film on hexagonal boron nitride (h-BN) by molecular beam epitaxy. Atomic force microscopy and electron microscopy studies reveal that MoS2 grown on h-BN primarily consists of two types of nucleation grains (0 aligned and 60 degrees antialigned domains). By adopting a high growth temperature and ultralow precursor flux, the formation of 60 degrees antialigned grains is largely suppressed. The resulting perfectly aligned grains merge seamlessly into a highly crystalline film. Large-scale monolayer MoS2 film can be grown on a 2 in. h-BN/sapphire wafer, for which surface morphology and Raman mapping confirm good spatial uniformity. Our study represents a significant step in the scalable synthesis of highly crystalline MoS2 films on atomically flat surfaces and paves the way to large-scale applications.</P>
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