Prpperties of YSZ thin films deposited by RF magnetron sputtering = 고주파 마그네트론 스퍼터링법으로 제조된 YSZ박막의 특성
저자
Lee, You-Kee (Division of semiconductor and elelctronics engineering, Uiduk university)
발행기관
위덕대학교 산업기술연구소(Science & Engineering Research Institute Uiduk University)
학술지명
산업기술연구소 논문집(Journal of Science & Engineering research Institute)
권호사항
발행연도
2004
작성언어
English
주제어
KDC
505
자료형태
학술저널
수록면
91-99(9쪽)
제공처
고주파 마그네트론 스퍼터링법으로 제조된 3mol%와 8mol% YSZ 박막의 스퍼터링 가스 내의 산소농도, 기판온도 및 Ar 압력에 따른 미세조직 및 광학적 특성을 조사하였다. 제조된 박막과 타게트의 결정구조는 서로 상이하게 나타났다. 3mol% YSZ 박막의 경우 스퍼터링 가스 내의 산소농도가 증가함에 따라 grain-like particle의 크기가 감소하였지만 8mol% YSZ 박막의 경우는 증가하는 경향을 보여주었으며, 8mol% YSZ 박막의 투과율은 3mol% YSZ 박막의 두께보다 더 두꺼운 두께에도 불구하고 더 높았다. 3mol% YSZ 박막의 굴절률은 스퍼터링 가스 내의 산소농도가 증가함에 따라 증가하였지만 8mol% YSZ 박막의 경우는 감소하는 경향을 보여주었다. 또한 8mol% YSZ 박막의 투과율은 기판온도 및 Ar 압력에 크게 영향을 받지 않았지만 굴절률은 큰 영향을 받았다.
더보기The effects of the O_(2) concentration in the sputtering gas mixture, substrate temperature and Ar pressure on the structural and optical properties of 3mol% YSZ and 8mol% YSZ thin films deposited by RF magnetron sputtering were investigated. The films were observed to have various crystal structures with different compositions in accordance with the type of the target materials. The size of fine grain-like particles decreased with increasing the O_(2) concentration in the sputtering gas in the case of 3mol% YSZ, while it increased in the case of 8mol% YSZ. However, the average optical transmission of 8mol% YSZ, despite of thicker thickness, was higher than that of 3mol% YSZ. Furthermore, the values of refractive index of 3mol% YSZ increased with increasing the O_(2) concentration in the sputtering gas on the contrary to those of the 8mol% YSZ. However, the transmission spectra of 8mol% YSZ films were not strongly influenced by the substrate temperature and Ar pressure, whereas the refractive index of the YSZ films were strongly affected by the sputtering parameters.
더보기분석정보
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)