SCOPUS
SCIE
Comparative study of trimethylaluminum and tetrakis(dimethylamido)titanium pretreatments on Pd/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/p-GaSb capacitors
저자
An, Youngseo ; Lee, Changmin ; Choi, Sungho ; Song, Jeongkeun ; Byun, Young-Chul ; Park, Dambi ; Kim, Jiyoung ; Cho, Mann-Ho ; Kim, Hyoungsub
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2017
작성언어
-등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
415103
제공처
<P>The effectiveness of trimethylaluminum (TMA) and tetrakis(dimethylamido)titanium (TDMAT) pretreatments on GaSb substrates were compared by examining the interfacial and capacitance–voltage (<I>C</I>–<I>V</I>) characteristics of Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/p-type GaSb capacitors. In addition, for sample preparation, the temperature-dependent surface reactivity of GaSb was confirmed by examining the impact of the atomic layer deposition (ALD) loading temperature (stand-by temperature in air). An increase in the loading temperature from 65 to 150 °C in air ambient degraded the interfacial and <I>C</I>–<I>V</I> properties, which confirms the importance of the processing temperature for GaSb-based devices. Both <I>in situ</I> TMA and TDMAT pretreatments at 65 °C prior to the ALD of Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> (150 °C) were effective in decreasing the amount of the interface oxide and the interface state density. While a similar degree of frequency dispersion in the <I>C</I>–<I>V</I> accumulation region was observed in the ALD-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/GaSb capacitor samples with and without TMA pretreatment, it largely increased for the TDMAT-pretreated sample, probably due to the formation of a Ti-oxide interlayer.</P>
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