Ar이 이온주입된 Si 기판의 결함회복 특성

국문 초록 (Abstract)

Si 기판에 Ar 이온을 주입하였을 때 형성된 결함의 급속열처리 온도에 따른 성장 및 회복기구를 단면 투과전자현미경과 RB(Rutherford backscattering) spectra 그리고 thermal wave(TW) modulation reflectance법으로 분석하였다. Dose 량이 1×10^(15)㎝^(-2)의 경우에 표면에서부터 연속적인 비정질층이 형성되었으나, 그 이하의 dose량에서는 비정질층이 형성되지 않았다. 비정질층이 형성되지 않은 시편은 열처리온도가 올라감에 따라서 서서히 결함이 회복되지만 1100℃의 고온에서도 많은 결함이 소멸되지 않고 남아있었다. 그리고, 표면으로부터 연속적으로 형성된 비정질층은 열처리에 의해 재결정화가 진행되나 비정질/결정질 계면의 기복이 심하고 이로 인해 micro twin, 결함 cluster 등이 밀집된 또다른 결함층을 표면 근처에 형성하며, 이들 결함들은 고온에서도 완전히 소멸되지 않았다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Damages on Si substrate induced by Ar ion implantation and its annealing behavior during rapid thermal annealing were investigated by the cross-sectional TEM (transmission electron microscopy), RB (Rutherford backscattering) spectra and thermal wave (TW) modulation reflectance methods. Continuous amorphous layer extending to the surface were generated by Ar ion implantation for higher doses than 1×10^(15)㎝^(-2). The recrystallization of the amorphous layer proceeded as the annealing temperature increased. However the amorphous/crystal interfacial undulations caused the micro twins and damage clusters. Damage clusters generated by lower doses than 1×10^(15)㎝^(-2) disappeared slowly as the annealing temperature increased, but even at 1100℃ a few damage clusters still remained.

목차 (Table of Contents)

• 요약
  
• Abstract
  
• 1. 서론
  
• 2. 실험방법
  
• 3. 결과 및 고찰
  
• 4. 결론
  
• 감사의 말씀
  
• 참고문헌