RF 마그네트론 스퍼터링법과 MOD법으로 제작한 ITO 박막의 특성 연구 = (A) study on the characteristics of ITO thin films fabricated by RF magnetron sputtering and MOD methods
저자
발행사항
청주 : 淸州大學校 大學院, 2005
학위논문사항
학위논문(석사)-- 청주대학교 대학원: 전자공학과 2005. 2
발행연도
2005
작성언어
한국어
주제어
KDC
569.8 판사항(4)
발행국(도시)
충청북도
형태사항
59p. : 삽도 ; 26cm.
일반주기명
참고문헌: p. 53-57
소장기관
Indium Tin Oxide(ITO) thin films were fabricated by RF magnetron sputtering and MOB methods. ITO thin films were deposited onto the SiO_(2)/si and Quartz substrates at different substrate temperatures (RT-600℃) by RF magnetron sputtering method. The electrical, structural and optical properties were characterized by resistivity and sheet resistance, X-ray diffraction, optical transmittance and reflectance measurements. ITO thin films were deposited at room temperature showed that the crystallinity were amorphous state, the electrical resistivity 4.5×10^(-4) Ω·cm and optical transmittance of reached 90% in the visible range(400~700 nm). The thin films prepared at 400 ℃ substrate temperature showed the lowest electrical resistivity 1.6×10^(-4) Ω·cm. XRD patterns of ITO films are changed a preferred orientation from (111) to (100) as the substrate temperature is increased. The optical properties of ITO films had a transmittance of ever 90% in the visible range(400~700 nm). ITO thin films were deposited at room temperature by RF magnetron sputtering method and then ex-situ annealing various temperature in nitrogen gas. The lowest electrical resistivity 2.5×10^(-4) Ω·cm at annealed 500 ℃ and XRD patterns of ITO films are preferred orientation along (111) direction. The optical properties of ITO films had a transmittance of over 90% in the visible range(400~700 nm). When the ITO thin films was fabricated with substrate temperature of 400 ℃ and thickness 200 nm, its resistivity and transmittance were about 1.0×10^(-4) Ω·cm and 90% or more respectively.
ITO thin films were fabricated by Metal Organic Decomposition (MOB) method. The thin films were prepared by spinning a solution onto the SiO_(2)/Si and Quartz substrates, drying the organic films to 200 ℃ in air and then annealing at various temperature in oxygen ambient. The electrical resistivity 1.5×10^(-3) Ω·cm at annealed 700 ℃ and XRD patterns of ITO films are preferred orientation along (111) direction. The optical properties of ITO films had a transmittance of over 85% in the visible range(400~700 nm). When the ITO thin films was fabricated with annealing temperature 700 ℃ and thickness 200 nm, its resistivity and transmittance were about 7.5×10^(-4) Ω·cm and 85% or more, respectively.
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