2.1GHz 대역의 저잡음 증폭기 설계 = Design of low noise amplifier for the 2.1GHz band
저자
정태훈 (동의대학교 대학원 전자공학과) ; 한대현 (동의대학교 공과대학 전기·전자·정보통신·메카트로닉스공학부 전자공학 전공) ; 최영식 (동의대학교 공과대학 전기·전자·정보통신·메카트로닉스공학부 전자공학 전공)
발행기관
東義大學校産業技術開發硏究所(Research Institute of Industrial Technology Development Dongeui University)
학술지명
産業技術硏究誌(THE RESEARCH INSTITUTE OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY DEVELOPMENT)
권호사항
발행연도
2003
작성언어
Korean
KDC
500.000
자료형태
학술저널
수록면
87-92(6쪽)
제공처
본 논문에서는 IMT-2000 기지국(중계기)용 저잡음 증폭기에 적합한 저 전압, 저 전류 동작점을 설정하고 이와 동시에 낮은 잡음 특성과 높은 입력 인터셉트점을 가지는 증폭기를 설계하였다. 입력 부정합에 의한 높은 입력 IP_3를 얻기 위하여 50Ω에 가까운 최적의 잡음지수를 얻기 위한 반사계수 값이 아닌 0.3㏈ 이하의 일정 잡음지수원 상에서 보다 적절한 부정합을 얻을 수 있는 입력 반사계수를 설정하고 출력을 복소 정합회로로 설계하여 두 특성을 최대로 얻을 수 있게 하였다. 본 논문에서는 최근 통신소자로 각광받고 있는 HEMT소자를 사용하였으며 Agilent사의 pHEMT ATF-36077을 능동소자로 채택하고 Agilent사의 고주파 시뮬레이터인 ADS를 이용하여 회로 설계 및 모의실험, 회로 및 성능의 최적화를 수행 하였으며 모의실험 결과를 활용하여 유전율 ε_r=3.0, 두께 0.762㎜인 테프론(Teflon) 기판을 이용하여 제작하였다. 구현한 저잡음 증폭기는 정합 및 바이어스의 최적화를 수행하여 기지국(중계기)용으로 제작되었으며 V_(ds)=2[V], I_d=9[mA]의 동작특성과 낮은 잡음특성, 높은 입력 인터셉트점, 그리고 입/출력에서 양호한 정합 특성을 얻을 수 있었다.
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