The chemical bond structure investigation on the Si-O-C(-H) composite low dielectric constant thin films = 저유전 상수를 갖는 Si-O-C(-H) 초박막의 결합구조
저자
Jing, Shou-Yong (Chengdu Fine Optical Engineering Research Center ) ; Oh, Kyoung Suk (Department of Physics, Cheju National University) ; Choi, Chi Kyu (Department of Physics, Cheju National University)
발행기관
濟州大學校 基礎科學硏究所(RESEARCH INSTITUTE FOR BASIC SCIENCES CHEJU NATIONAL UNIVERSITY)
학술지명
基礎科學硏究(THE JOURNAL OF BASIC SCIENCES CHEJU NATIONAL UNIVERSITY)
권호사항
발행연도
2001
작성언어
English
KDC
405.000
자료형태
학술저널
수록면
31-37(7쪽)
제공처
액체상태의 BTMSM과 산소 가스를 원재료로 하여, rf 인가전압을 이용한 ICPCVD 방법으로 Si-O-C-H 박막을 형성하였다. FTIR과 XPS 스팩트럼을 이용하여 박막 내의 Si-O-Si, Si-O-C 그리고 Si-CH₃ bond 등을 조사하였다. 형성한 박막을 열처리하여 FTIR과 XPS 스팩트럼의 변화를 비교하여 박막내의 Si-O-Si와 CH₃ group이 nano-size의 void 형성에 기여하는 것으로 추론한다. 유전율을 계산한 결과 열처리 후에 2.3이 값을 얻을 수 있었다.
Si-O-C-H composite films were deposited using a radio frequency inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICPCVD) system with a bis-ttimethylsilymethane (BTMSM, H_(9)C₃-Si- CH₂-Si-C₃H_(9)) precursor and oxygen gases. Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy and X- ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectra were used to investigate the bonding configurations such as Si-0-Si, Si-0-C and Si-CH₃ bonds in the films. From these result the attachment of the Si-0-Si ring link with CH₃ groups is responsible to form the nano-size void in the film and result in a lower dielectric constant(k = 2.3).
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