Carbon diffusion에 의한 SiC matrix 내의 실리콘 양자점 특성 분석
저자
문지현(Moon, Jihyun) ; 김현종(Kim, Hyunjong) ; 조준식(Cho, Jun Sik) ; 박상현(Park, Sang Hyun) ; 윤경훈(Yoon, Kyung Hoon) ; 송진수(Song, Jinsoo) ; 오병성(O, Byungsung) ; 이정철(Lee, Jeong Chul)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2010
작성언어
Korean
주제어
KDC
505
자료형태
학술저널
수록면
100-100(1쪽)
제공처
고효율 실리콘 양자점 태양전지를 제작하기 위해 Si과 C target을 co-sputtering 방식으로 제조한 SiC matrix를 열처리하여 박막 내에 Si nanocrystal들을 생성하였다. Si nanocrystal의 특성은 다양한 요인에 영향을 받는 데 barrier 물질인 SiC matrix가 가장 큰 영향을 준다. SiC는 900도 이상에서 열처리하는 동안 Si과 C과 SiC으로 재배열 혹은 재결합하는 데 이 때 가장 작은 carbon이 빠르게 diffusion하는 현상에 의해 Si nanocrystal의 성장과 특성에 영향을 주게 된다. 이 현상을 연구하기 위해 stoichiometric SiC/Si-rich SiC/stoichiometric SiC의 3층 구조로 시료를 제작하여 이를 SIMS의 depth profiling을 통하여 열처리 전보다 열처리 후에 Si-rich SiC layer내에 carbon이 약 2~3%정도 증가한 것으로 carbon이 diffusion된 것을 확인하였다. 이 시료를 UV-VIS-NIR spectroscopy, Raman, GIXRD 등의 다양한 측정을 통하여 carbon diffusion에 의한 Si nanocrystal의 특성변화를 연구하였다.
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