MIC 공동공진기를 사용한 X-밴드건 발진기에 관한 硏究 = A Study on the X-Band Gunn Oscillator Used MIC Cavity Resonator
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학술지명
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발행연도
1979
작성언어
Korean
KDC
504
자료형태
학술저널
수록면
69-73(5쪽)
제공처
소장기관
마이크로파 통신기기와 레이다 시스팀에 사용할 수 있는 극소화된 X-대역 건 발진기를 제작하기 위하여 건다이오드를 마이크로스트맆 공동공진기에 실었으며 공진회로는 두께 0.127cm, 면적 1.85cm×1.85cm의 알루미나, 쎄라믹 기판위에 박막처리된 구리를 사용하여 제작하였고, 건 다이오드가 실린 공동공진기에 존재하는 모우드 점핑문제를 해결하기 위하여 전달공진기에 바랙터가 실린 낮은 Q 공동기를 결합하였다. 각 파쟁정수를 컴퓨터로 씨뮬레이션하여 설계, 제작한 공진기의 오차를 보정하기 위하여 전달공진기에 기계적인 튜닝방법을 사용하였다.
실험결과, 건 다이오드의 바이어스 전압이 9V일 때 주파수 10.31GH₂에서 출력이 22.5mW인 단일모우드 발진을 얻었고, 출력이 큰 변화없이 100MH₂정도로 튜닝시킬 수 있었다.
A Gunn diode has been integrated with microstrip oscillator circuit to produce miniaturized X-Band power source for the microwave Communication equipments and rader systems. The oscillator circuit is fabricated using thin-film Copperon 1.85cm by 1.85cm, 0.127cm thick alumina-ceramic substrate.
The stabilization is achieved by coupling a transmission cavity to the resonant cavity in which a Gunn diode is embedded. A mode jumping problem inherent in coupled cavity oscillator was solved by coupling a third Varactor embedded in the lew Q cavity to the transmission cavity.
The mechanical tunning method was wed to compensate the errors in transmission cavity whose parameters had been designed and fabricated by Computer Simulation.
As a result, we find single mode microwave oscillation with 22.5mW power at 10.31GH₂.
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