KCI등재
Properties of photoluminescience for ZnSe/GaAs epilayer grown by hot wall epitaxy
저자
발행기관
학술지명
한국결정성장학회지(Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology )
권호사항
발행연도
2003
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
105-110(6쪽)
제공처
The ZnSe epilayers were grown on the GaAs substrate by hot wall epitaxy. After the ZnSe epilayers treated in the vacuum-, Zn-, and Se-atmosphere, respectively, the defects of the epilayer were investigated by means of the low-temperature photoluminescence measurement. The dominant peaks at 2.7988 eV and 2.7937 eV obtained from the PL spectrum of the as-grown ZnSe epilayer were found to be consistent with the upper and the lower polariton peak of the exciton, $I_{2}$ ($D^{\circ}$, X), bounded to the neutral donor associated with the Se-vacancy. This donor-impurity binding energy was calculated to be 25.3 meV, The exciton peak, $I_{1}^{d}$ at 2.7812 eV was confirmed to be bound to the neutral acceptor corresponded with the Zn-vacancy. The $I_{1}^{d}$ peak was dominantly observed in the ZnSe/GaAs : Se epilayer treated in the Se-atmosphere. This Se-atmosphere treatment may convert the ZnSe/GaAs : Se epilayer into the p-type. The SA peak was found to be related to a complex donor like a $(V_{se}-V_{zn})-V_{zn}$.
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