Well-Aligned Carbon Nanotubes Grown on Glass at about 400℃ = 400℃에서 성장된 탄소 나노튜브의 특성 연구
저자
Yoon, H. J. (Department of Physics, Hanyang University) ; Kang, H. S. (Department of Physics, Hanyang University) ; Shin, J. S. (Department of Physics, Hanyang University) ; Kim, J. S. (Department of Physics, Hanyang University) ; Son, K. J. (Department of Physics, Hanyang University) ; Lee, C. H. (Department of Physics, Hanyang University) ; Kim, C. O. (Department of Physics, Hanyang University) ; Hong, J. P. (Department of Physics, Hanyang University)
발행기관
漢陽大學校 自然科學硏究所(The Research Institute for Natural Sciences Hanyang University)
학술지명
권호사항
발행연도
2001
작성언어
English
KDC
400.000
자료형태
학술저널
수록면
67-70(4쪽)
제공처
소장기관
PECVD를 이용해서 코닝 글래스와 실리콘 기판 위에 탄소 나노튜브를 성장하였다. 외부sus-grid 넣어 줌으로써 성장 동안에 반응 가스 밀도를 증가 시켰다. 이 grid가 실험을 통해 낮은 온도에서 탄소 나노튜브가 성장되는 중요한 요인임을 발견하였다. Ni이 증착된 기판을 400℃에서 암모니아 가스로 선처리 해준후 아세틸렌과 수소가스를 혼합하여 성장 시켰다. 5분의 성장기간 동안 30∼60㎚의 직경과 2∼4㎛길이의 탄소 나노튜브를 얻었다. 400℃에서 글래서위에 2㎛ 길이의 탄소 나노튜브가 성장 하였다.
Well-aligned multi-wall carbon nanotubes have been grown on both Coming glass and silicon substrates at about 400℃ by a modified plasma-enhanced chemical vapor deposition system. External SUS-grid was inserted to relatively increase reactive radical density during the growth. This grid was found to be the key parameter for low temperature deposition of carbon nanotubes in our case. The Ni-coated substrates were at first pretreated by an ammonia gas at 400℃, and then followed by the deposition with the mixture of acetylene and hydrogen gases. Carbon nanotube was about 2~4㎛ in length and 30~60㎚ in diameter for 5 min deposition time. Carbon nanotube with short length of about 2um was well aligned on the glass substrates at 400℃.
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