Bonded SOI 웨이퍼 제조를 위한 기초연구 = A Fundamental Study fo Bonded SOI Wafer Manufacturing
저자
정해도 (부산대학교 공과대학 기계공학과) ; 문도민 (부산대학교 대학원 ) ; 강성건 (포항산업과학연구원 전력전자팀) ; 류근걸
발행기관
학술지명
生産技術硏究所論文集(Journal of Research Institute of Industrial Technology)
권호사항
발행연도
1997
작성언어
Korean
KDC
530.9
자료형태
학술저널
수록면
153-159(7쪽)
제공처
소장기관
SOI(Silicon On Insulator)기술은 MOS(Metal-Oxide Semiconductor), CMOS(Complementary MOS)등의 전자집적회로 제조시 소자의 고속화, 고집적화, 저전력화, 발열 특성의 향상 등의 효과를 기대할 수 있다. 간략하게 Bonded SOI웨이퍼의 제조를 설명하면 SiO₂를 성장시킨 웨이퍼와 경면 가공한 다른 웨이퍼를 접합하여 열처리 등 후공정을 행한 후 한쪽 웨이퍼를 원하는 두께만큼 박막으로 가공한다.
본 연구에서는 기본적인 Bonded SOI 웨이퍼의 제조 공정 기술을 획득하고, 이를 통해 두께 3㎛ 이하, 표면거칠기 5Å이하의 상부 실리콘 박막을 가공하였다.
SOI(Silicon On Insulator) technology is many advantages in the fabrication of MOS(Metal-Oxide Semiconductor) and CMOS(Complementary MOS) structures. These include high speed, lower dynamic power consumption, greater packing density, increased radiation tolearence et al. In the smiplest form of bonded SOI wafer manufacturing, creating, a bonded SOI structure involves oxidizing at least one of the mirror polished silicon surfaces, cleaning the oxidized surface and the surface of the layer to which it will be bonded, bringing the two cleanded surfaces together in close physical proximity, allowing the subsequent room temperature bonding to proceed to completion, and then following this room temperature joining with some form of heat treatment step, and device wafer is thinned to the target thickness.
In this paper, The process of Bonded SOI wafer manufacturing is described briefly, and we made an attempt to manufacture the Bonded SOI safer that Si layer thickness is below 3㎛ and average roughness is below 5Å.
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