저온 AlN 중간층 이용하여 성장한 GaN 층의 1차 GaN 두께에 따른 특성 = Properties of GaN Grown by Using Low-temperature an AlN Interlayers as a Function of the 1st GaN Layer’s Thickness

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

GaN layers were grown on silicon (111) substrates with
low-temperature (LT) AlN interlayers by using metalorganic vapor
phase epitaxy, and the properties of the GaN layers as a function of
the 1st GaN layer's thickness were investigated. For variious
tkickness of the 1st GaN layer, the density of cracks in the GaN
layer changed sensitively. For 0.2-$\mu$m-thick 1st GaN Layer, the
density of cracks was 30/cm, the full width at half maximum of the
(002) X-ray rocking curve was 686 arcsec, and the full width at half
maximum of the bound exciton line was as low as 46.1 meV at 300 K.

국문 초록 (Abstract)

유기화학기상증착법으로 저온 AlN 중간층을 이용하여 Si(111) 기판위에
GaN 박막을 성장하고 저온 AlN 중간층 아래의 1차 GaN 두께에 따른
특성을 연구하였다. 1차 GaN 두께에 따라 GaN 층의 균열이 민감하게
변함을 알 수 있었고 0.2 $\mu$m 두께에서 균열밀도 30/cm 의 가장 적은
균열을 얻었다. 또한, (002) X-ray rocking curve 의 full width at half
maximum 측정 결과 686 arcsec 의 결정성을 갖는 박막을 얻었고
photoluminescence 측정 결과 300 K 에서 46.1 meV 의 full width at
half maximum 을 얻었다.

참고문헌 (Reference)

• 1 G. Cong, 276 : 381-, 2005
• 2 K. Engl, 289 : 6-, 2006
• 3 S. Chichibu, 36 : 1976-, 1997
• 4 G. S. Higashi, 56 : 656-, 1990
• 5 Y. L. Tsai, 27 : 425-, 2004
• 6 김덕규, "Si (111) 기판위에 성장한 GaN 박막층에 대한 AlN 버퍼층의 영향" 한국물리학회 55 (55): 43-46, 2007