KCI등재후보
DFT를 이용한 Si (001) 기판의 에피택시 NiSi 구조 연구 = Structural Study of Epitaxial NiSi on Si (001) Substrate by Using Density Functional Theory (DFT)
저자
김대희 ; 서화일 ; 김영철 ; Kim, Dae-Hee ; Seo, Hwa-Il ; Kim, Yeong-Cheol
발행기관
학술지명
반도체디스플레이기술학회지(Journal of the semiconductor & display technology)
권호사항
발행연도
2007
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재후보
자료형태
학술저널
수록면
65-68(4쪽)
KCI 피인용횟수
1
제공처
An epitaxial NiSi structure on Si (001) substrate was studied by using density functional theory (DFT). Orhorhombic and B2-NiSi structures were compared first. B2 structure was further considered as it has same crystal structure as Si and the lattice mismatch between B2 and Si is small, compared to orthorhombic-NiSi. The lattice parameters of x- and y-direction in B2-NiSi structure were modified to match with those in Si (001). The size reduction of the lattice parameter of B2-NiSi to match with that of Si increased the lattice parameter of z-direction by 10.5%. Therefore, we propose that an optimum structure of NiSi for epitaxial growth on Si (001) is a tetragonal structure.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2021-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2019-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2016-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2012-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2010-03-25 | 학회명변경 | 한글명 : 한국반도체및디스플레이장비학회 -> 한국반도체디스플레이기술학회영문명 : The Korean Society of Semiconductor & Display Equipment Technology -> The Korean Society of Semiconductor & Display Technology | KCI등재 |
2010-03-25 | 학술지명변경 | 한글명 : 반도체및디스플레이장비학회지 -> 반도체디스플레이기술학회지외국어명 : Journal of the Semiconductor and Display Equipment Technology -> Journal of the Semiconductor & Display Technology | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2006-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.29 | 0.29 | 0.26 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.21 | 0.18 | 0.217 | 0.02 |
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