KCI등재
1×8배열, 7.8 ㎛ 최대반응 GaAs / AlGaAs 양자우물 적외선 검출기
저자
박은영(Eunyoung Park) ; 최정우(Jeong-woo Choe) ; 노삼규(Sam-Kyu Noh) ; 최우석(Woo-seok Choi) ; 박승한(Seung-Han Park) ; 조태희(Taehee Cho) ; 홍성철(Songcheol Hong) ; 오병성(Byungsung O) ; 이승주(Seung-Joo Lee)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1998
작성언어
Korean
KDC
425
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
428-432(5쪽)
제공처
소장기관
장파장영역의 적외선 검출을 위해 구속-비구속 상태간 전이를 이용한 GaAs/AlGaAs 이종접합 다중양자우물구조형태 검출기를 제작하여 전기적, 광학적 특성을 살펴보았다. 시료는 MBE를 이용하여 SI-GaAs(100) 기판 위에 장벽 500 Å, 폭 40 Å의 양자우물구조를 25층 성장시켰으며, Al의 몰분율은 0.28로 하였고 우물의 중심부 20 Å은 2×10^(18)㎝-³의 농도로 Si n-도핑을 하였다. 200×200 ㎛² 면적의 사각형 화소가 되도록 시료를 식각한 후 Au/Ge로 전극을 붙여 1×8 검출기 배열을 제작하였다. 10K의 온도에서 적외선 광원에 대한 광특성을 조사한 결과 1차원으로 배열한 8개의 단일소자 모두 7.8 ㎛파장에서 최대반응을 보였으며 검출률(D*)은 최대 4.9×10^9 ㎝ √㎐/W이었다.
더보기We fabricated 1×8 array of GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors for the long wavelength infrared detection which is based on the bound-to-continuum intersubband transition, and characterized its electrical and optical properties. The device was grown on SI-GaAs(100) by the molecular beam epitaxy and consisted of 25 period of 40 Å GaAs well and 500 Å Al_(0.28)Ga_(0.72)As barrier. To reduce the possibility of interface states only the center 20 Å of the well was doped with Si (N_D=2×10^(18)㎝-³). We etched the sample to make square mesas of 200×200 ㎛² and made an ohmic contact on each pixel with Au/Ge. Current-voltage characteristics and photo response spectrum of each detector reveal that the array was highly uniform and stable. The spectral responsivity and the detectivity D* were measured to be 180,260 V/W and 4.9×10^9 ㎝ √㎐/W respectively at the peak wavelength of λ = 7.8 ㎛ and at T = 10 K.
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