반도체 산업의 SEMI S6에 따른 실험결과 및 누출률을 기준으로 한 증기 상 물질의 2차 누출 시 폭발위험장소에 관한 연구 = A Study on the Explosion Hazardous Area in the Secondary Leakage of Vapor Phase Materials Based on the Test Results and the Leak Rate According to SEMI S6 in the Semiconductor Industry

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Currently, in KS C IEC 60079-10-1, the leakage hole radius of secondary leakage is expressed as a recommendation. Underestimation of leak hole size can lead to under�estimation of the calculated values for leak rates, and conservative calculations of leak hole sizes, which are considered for safety reasons, can be overestimated, resulting in an over�estimated risk range. This too should be avoided. Therefore, a careful and balanced approach is necessary when estimating the size of leaking holes.Based on this logic, this study examines the stability by grasping the concentration inside the gas box when leaking dangerous sub�stances as a result of experiments based on SEMI S6, an international safety standard applied in the semiconductor industry and The scope of explosion hazardous area was determined by applying the formula of KS C IEC 60079-10-1 according to SEMI F15 leak rate criteria and SEMI S6 leak rate criteria. Based on this, we will examine whether the exhaust performance needs to be improved as an alternative to FAB facilities that are difficult to apply to explosion haz�ards such as semiconductor industry

국문 초록 (Abstract)

현재 KS C IEC 60079-10-1 등에서 2차 누출 시 누출 구멍의 반경(hole radius)은 권고로 하여 표현되어 있다. 누출구멍 크기의 과소평가는 누출률에 대한 계산 값의 과소평가로 이어질 수 있고, 안전상의 이유로 검토되는 누출 구멍크기의 보수적인 계산은 과대평가로 이루어 질 수 있어 과대한 위험장소 범위로 나타낼 수 있기 때문에 이 또한 피해야 한다. 그러므로 누출 구멍의 크기를 추정할 때에는 신중하게 균형 잡힌 접근이 필요하다. 이러한 논리를 바탕으로 하여 금번 연구에서는 반도체 산업에서 적용되는 국제안전규격인 SEMI S6 기준에 따른 실험결과로 위험물질 누출시 가스박스 내부 농도를 파악하여 안정성을 검토해보고 SEMI F15 누출률 기준, SEMI S6 누출률 기준에 따라 KS C IEC 60079-10-1의 공식을 적용하여 폭발위험장소의 범위 선정을 실시하였다. 이를 바탕으로 하여 향후 반도체 산업 등 폭발위험장소의 적용이 까다로운 FAB 설비의 대안으로 배기성능 향상이 필요한지 여부를 검토해보고자 한다.

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