고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Coupling Capacitance 변화 분석 = Analysis of Crosstalk-Induced Variation of Coupling Capacitance between Interconnect lines in High Speed Semiconductor Devices
저자
지희환 ; 한인식 ; 박성형 ; 김용구 ; 이희덕 ; Ji Hee-Hwan ; Han In-Sik ; Park Sung-Hyung ; Kim Yong-Goo ; Lee Hi-Deok
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
권호사항
발행연도
2005
작성언어
Korean
주제어
등재정보
구)KCI등재(통합)
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
47-54(8쪽)
제공처
소장기관
In this paper, novel test patterns and on-chip data are presented to indicate that the variation of coupling capacitance, ${\Delta}Cc$ by crosstalk can be larger than static coupling capacitance, Cc. It is also shown that ${\Delta}Cc$ is strongly dependent on the phase of aggressive lines. for anti-phase crosstalk ${\Delta}Cc$ is always larger than Cc while for in-phase crosstalk ${\Delta}Cc$ is smaller than Cc. HSPICE simulation shows good agreement with the measurement data.
더보기본 논문에서는 Crosstalk에 의한 coupling capacitance의 변화량, ${\Delta}Cc$이 기본값인 Cc보다 더 커질 수 있음을 제안한 테스트 회로를 이용하여 실험적으로 증명하였다. 또한 ${\Delta}Cc$가 Aggressive line의 위상에 매우 의존함을 보였으며 위상이 같은 경우보다 반대인 경우에 ${\Delta}Cc$가 크게 됨을 보였다. 실험 결과의 타당성을 검증을 위해 HSPICE 시뮬레이션을 수행하여 실험치와 잘 맞음을 나타내었다.
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