스퍼터링 진공 증착장치를 이용한 투명 도전 박막 개발 = The Development of transparent conductive thin film using sputtering vacuum deposition machine
저자
허창우 (이공대학 전자정보통신공학부)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2000
작성언어
Korean
KDC
040.000
자료형태
학술저널
수록면
255-266(12쪽)
제공처
스퍼터링 진공 증착 장치를 이용하여 투명 도전막(ITO:Indium Tin Oxide)을 제작하고 제작된 ITO 박막의 광 및 전기 그리고 물성적 특성을 조사하여 최상의 공정 조건을 확립하였다.
ITO는 일반적으로 LCD 나 이미지센서의 투명전극으로 사용된다. 이러한 소자의 투명전극으로 사용되기 위해서는 면저항이 10∼1Kℓ/ㅁ, 광투과도가 85% 이상이 요구된다. 광투과도와 비저항은 스퍼터링 진공증착시 사용되는 O₂ 가스에 반비례한다. 이번 연구에서는 Ar:O₂ 분압비, 전력밀도, 기관온도, 타겟과 기판사이의 거리를 주요 변수로하여 시험하였다.
본 실험에서는 In₂O₃: SnO₂의 조성비가 90:10 wt%, 95:5 wt%의 두 종유의 타겟을 사용하였다. 실험 결과 90:10 wt% 인 타켓의 특성이 우수하였다. 또한 Ar:O₂의 분압비는 100:1의 조건이 적당하였으며, 전력밀도의 경우 1.23W/㎠, 1.85W/㎠, 2.03W/㎠의 3가지 실험중에서 2.03W/㎠의 조건에서 가장 우수한 결과를 구할 수 있었다. 타켓과 기관 사이��거리는 80㎜, 100㎜, 130㎜ 의 3가지 실험에서 80㎜의 간격에서 가장 우수한 특성을 얻을 수 있었다.
이러한 결과를 가지고 구한 본 실험에서 확립한 최상의 공정 조건은 In₂O₃: SnO₂의 조성비 90:10 wt%, Ar:O₂의 분압비는 100:1, 전력밀도의 경우 2.03W/㎠, 타겟과 기판 사이의 거리는 80㎜이다. 이 공정 조건으로 제작한 박막의 경우 광 투과도가 90% 이상, 비저항이 300μℓ㎝ 이하의 특성을 갖게되며 이미지센서, 태양전지, 액정 텔레비전 등 빛의 통과와 전도성 등 두가지 특성에 동시에 만족 될만한 성능을 가질 수 있음을 확인하였다.
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