발광 반도체에 관한 연구 : SSD법에 의한 InP 단결정의 생장과 그 특성 = The Growth and the Characteristics of InP Single Crystal by SSD method

국문 초록 (Abstract)

온도구배가 15-20℃/cm이고 생장온도가 850℃-920℃에서 SSD법으로 InP 단결정을 생장시키었으며, 생장속도는 1.7-2.2mm/day이었다. 생장된 결정의 격자상수로는 a_0=5.865±0.004Å을 얻었다. 77˚K에서 Van der Pauw법으로 측정한 전자농도 및 Hall이등도의 값은 각각 7.33×10^15cm^-2 및 2.77×10^4㎠/V-sec이었다. undoped 결정에서 측정한 photoluminescence의 방출스펙트럼에서 현저한 edge emission피이크(1.42eV)와 약한 accept피이크(1.38eV)가 나타나며, 수은 때문에 생기는 1.32eV 피이크는 나타나지 않았다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

InP single crystals are grown using SSD method in which grown temperature is as low as 850°~920℃, temperature gradient and growing velocity are 15-20℃/cm and 1.7-2.2mm/day, respectively. The lattice constant of the grown crystal is a_0=5.865±0.004Å. In undoped InP crystal, electron carrier concentration and Hall mobility are measured to be 7.33×10^15cm^-2 and 2.77×10^4㎠/V.sec, by Van der Pauw method at 77°K.
Photoluminescence emission spectra of undoped sample shows dominant edge emission peak(1.42eV) and weak acceptor peak (1.38eV) but Hg-peak (1.32eV).