KCI등재
세그먼트 부분 정합 기법 기반의 10비트 100MS/s0.13um CMOS D/A 변환기 설계 = A 10b 100MS/s 0.13um CMOS D/A Converter Based on A Segmented Local Matching Technique
저자
황태호 (서강대학교 전자공학과) ; 김차동 (서강대학교) ; 최희철 (앱티나 코리아) ; 이승훈 (서강대학교)
발행기관
학술지명
電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
권호사항
발행연도
2010
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
62-68(7쪽)
KCI 피인용횟수
3
제공처
소장기관
This work proposes a 10b 100MS/s DAC based on a segmented local matching technique primarily for small chip area. The proposed DAC employing a segmented current-steering structure shows the required high linearity even with the small number of devices and demonstrates a fast settling behavior at resistive loads. The proposed segmented local matching technique reduces the number of current cells to be matched and the size of MOS transistors while a double-cascode topology of current cells achieves a high output impedance even with minimum sized devices. The prototype DAC implemented in a 0.13um CMOS technology occupies a die area of 0.13mm2 and drives a 50Ω load resistor with a full-scale single output voltage of 1.0VP-P at a 3.3V power supply. The measured DNL and INL are within 0.73LSB and 0.76LSB, respectively. The maximum measured SFDR is 58.6dB at a 100MS/s conversion rate.
더보기본 논문에서는 주로 소면적 구현을 위하여 세그먼트 부분 정합 기법을 적용한 10비트 100MS/s DAC를 제안한다. 제안하는 DAC는 비교적 적은 수의 소자로도 요구되는 선형성을 유지하면서 고속으로 부하저항의 구동이 가능한 세그먼트 전류 구동 방식 구조를 사용하였으며, 제안하는 세그먼트 부분 정합 기법을 적용하여 정합이 필요한 전류 셀들의 숫자와 크기를 줄였다. 또한, 전류 셀에는 작은 크기의 소자를 사용하면서도 높은 출력 임피던스를 얻을 수 있도록 이중-캐스코드 구조를 채용하였다. 시제품 DAC는 0.13um CMOS 공정으로 제작되었으며, 유효 면적의 크기는 0.13mm2이다. 시제품 측정 결과, 3.3V의 전원전압과 1VP-P의 단일 출력 범위 조건에서 50Ω의 부하저항을 구동할 때 DNL 및 INL은 각각 -0.73LSB, -0.76LSB 수준이며, SFDR은 100MS/s의 동작 속도에서 최대 58.6dB이다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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