양성자 조사 기술을 이용한 NPT형 전력용 다이오드의 스위칭 속도 개선 = Improving switching speed of NPT-type power diode using proton irradiation technology
저자
발행기관
위덕대학교 산업기술연구소(Science & Engineering Research Institute Uiduk University)
학술지명
산업기술연구소 논문집(Journal of Science & Engineering research Institute)
권호사항
발행연도
2005
작성언어
Korean
주제어
KDC
505
자료형태
학술저널
수록면
10-18(9쪽)
제공처
양성자 조사 기술을 이용하여 전력용 반도체 소자의 스위칭 특성 개선 기술을 개발하였다. 양성자 주입 에너지를 변화시키며 시편을 제조하여 주입 조건에 따른 결함 형성 기구와 소자의 동작 특성을 분석하였다. NPT형 전력용 다이오드 소자에 주입 에너지 2.32 MeV, 2.55 MeV, 2.97 MeV의 조건으로 양성자를 주입시켜 결정 결함의 생성 위치를 변화시켰으며 각 조건으로 제조된 소자의 전류-전압 특성, 용량-전압 특성, 항복전압 특성, 역방향 회복시간을 측정하여 양성자를 주입하지 않은 소자와 비교 분석하였다. 주입에너지 2.97 MeV로 양성자가 주입된 소자의 경우, 순방향 전류 5A에서 전압강하는 최초 소자의 120 %인 1.1 V로 증가하였고, 역방향 전압 100 V에서 누설전류는 64 nA, 역방향 항복전압은 670 V로 최초 소자와 같은 값을 나타냈었다. 역방향 회복 시간은 양성자를 주입하지 않은 소자의 20 % 수준인 50 nA로 감소하였다.
더보기Proton irradiation technology has been used for improving the switching characteristics of a pn diode. The NPT type power diodes which were irradiated respectively with 2.32 MeV, 2.55 MeV, 2.97 MeV energy condition were analyzed by current-voltage, capacitance-voltage, and reverse recovery time measurements and compared with non irradiation device. In the case of 2.97 MeV irradiated device, forward voltage drop was increased to 1.1 V witch was 120% of its original device at forward current of 5 A, reverse leakage current was 64 nA at reverse voltage of 100 V, and reverse breakdown voltage was 670 V which was the same voltage as original device without irradiation. The reverse recovery time of device was 50 nA, reduced to about 20% compared to that of original device without irradiation.
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