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SCIE
SCOPUS
Improvement in the performance of CIGS solar cells by introducing GaN nanowires on the absorber layer
저자
Sim, Jae-Kwan ; Um, Dae-Young ; Kim, Jong-Woong ; Kim, Jin-Soo ; Jeong, Kwang-Un ; Lee, Cheul-Ro
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2019
작성언어
-주제어
등재정보
SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
643-647(5쪽)
제공처
<P><B>Abstract</B></P> <P>Cu(In, Ga) Se<SUB>2</SUB> (CIGS) thin-film solar cells are currently the fastest growing photovoltaic technology due to the higher performance ratio and lower energy payback time compared to the silicon, and good stability. Despite of these interesting properties, CIGS solar cells suffer from poor spectral response at short wavelengths particularly in the range of 300–400 nm. In the present work, we have introduced GaN nanowires in CIGS solar cells in order to improve the performance of photovoltaic device in the short wavelength region (300–400 nm). To evaluate the influence of GaN nanowires, the morphological, structural and electrical properties have been studied. These studies have shown the introduction of GaN nanowires not only improve the cell efficiency but also enhance the spectral response in the wavelength range 300–400 nm. The CIGS solar cells fabricated with GaN nanowires displayed power conversion efficiency of 10.15% with a fill factor of 65%, which are substantially higher than that of reference cell (without GaN nanowires).</P> <P><B>Highlights</B></P> <P> <UL> <LI> GaN nanowires have been incorporated in the CIGS solar cells. </LI> <LI> Introduction of GaN nanowires results in an improvement in the performance of CIGS solar cells. </LI> <LI> The CIGS solar cells with GaN nanowires displayed higher cell efficiency than a reference cell. </LI> <LI> Improved cell efficiency originated from boosted spectral response in the wavelength range 300–400 nm. </LI> </UL> </P>
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