KCI우수등재
SCOPUS
불순물이 첨가되지 않은 n - GaAs 에서의 Electroreflectance에 관한 연구
저자
김인수(In-Soo Kim) ; 김근형(Geun-Hyoung Kim) ; 손정식(Jeong-Sik Son) ; 이철욱(Chul-Wook Lee) ; 배인호(In-Ho Bae) ; 김상기(Sang-Gi Kim)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1997
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
136-142(7쪽)
제공처
소장기관
Au/n-GaAs(100) Schottky 장벽 diode를 제작하여 변조전압(V_(ac)) 및 dc 바이어스 전압(V_(bias)) 변화에 따른 electroreflectance(ER)를 측정하였다. 관측된 Franz-Keldysh oscillation(FKO) 피크로부터 이 시료의 내부 전기장(E_i)은 5.76×10⁴V/㎝였다. V_(ac)를 변화시킴에 따라 ER 신호의 모양은 변화가 없고, 진폭만 선형적으로 증가하였다. 순방향 및 역방향의 V_(bias) 변화에 따라 ER 신호의 진폭은 감소하였으며, V_(bias)가 -5.0~0.6V로 증가함에 따라 E_i는 19.3×10⁴~4.39×10⁴V/㎝로 감소하였다. 그리고 V_(bias) 변화에 대한 E_i²의 그래프로부터 built-in 전압 (V_(bi)) 은 0.70V였으며, 이 값은 V_(bias) 변화에 따른 FKO 피크의 진폭 관계 그래프에서 얻은 결과와 잘 일치하였다. 또한 이 시료의 캐리어 농도(N)와 전위장벽(φ)은 300K 에서 각각 2.4×10^(16)㎝^(-3)와 0.78eV의 값을 얻었다.
더보기Au/n-GaAs(100) Schottky barrier diode has been investigated by using electroreflectance(ER). From the observed Franz-Keldysh oscillations(FKO), the internal electric field(E_i) of this sample is 5. 76×10⁴V/㎝ at 300 K. As the modulation voltage(V_(ac)) is changed, the line shape of ER signal does not change but its amplitude varies linearly. For increasing forward and reverse dc bias voltage(V_(bias)), the amplitude of ER signal decreases. The internal electric field decreased from 19.3×10⁴V/㎝ to 4.39×10⁴V/㎝ as V_(bias) increases from -5.0 V to 0.6 V. For Au/n-GaAs the valve of built-in voltage(V_(bi)) determined from the plot of V_(bias) versus E_i² is 0.70 V. This value agrees with that observed in the plot of V_(bias) versus amplitude of FKO peak. In addition, the carrier concentration(N) and potential barrier(Φ) of the sample at 300 K are found to be about 2.4×10^(16) ㎝^(-3) and 0.78 eV, respectively.
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