SCOPUS
KCI등재
Lombardi 이동도 모델을 이용한 다이아몬드 MOSFET 순방향 전류-전압 특성의 수치해석 시뮬레이션
저자
김태은(Taeeun Kim) ; 이호준(Hojun Lee) ; 신승일(Seung-Il Shin) ; 하민우(Min-Woo Ha) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
전기학회논문지(The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers)
권호사항
발행연도
2020
작성언어
Korean
주제어
등재정보
SCOPUS,KCI등재
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
1221-1224(4쪽)
제공처
소장기관
Diamond semiconductor technologies are suitable for power devices due to high breakdown field and high thermal conductivity. The scattering is important because it reduced the mobility and limited the on current. Here, we present numerical simulations of a p-type diamond MOSFET using Lombardi mobility model which considered the phonon, surface roughness, and Coulomb scattering-dependent hole mobility. We designed a hydrogen–terminated diamond MOSFET which had the p-type diamond layer and two-dimensional hole gas(2DHG) channel. When the gate–source and drain–source voltage were -1 and -10 V, respectively, the on current with surface roughness, Coulomb, and phonon scattering were 355, 355, and 133 mA/mm, respectively. The phonon scattering by the electric field was the most dominant factor which decreased the hole mobility. The reduction in the hole mobility occurred considerably beneath the gate oxide near drain edge where the electric field concentrated.
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