The Electrical Properties of Single-silicon TFT Structure with Symmetric Dual-Gate for kink effect suppression
저자
이덕진 ; 강이구 ; Lee, Deok-Jin ; Kang, Ey-Goo
발행기관
학술지명
컴퓨터産業敎育學會論文誌(Journal of the Korea computer industry education society)
권호사항
발행연도
2005
작성언어
English
주제어
자료형태
학술저널
수록면
783-790(8쪽)
제공처
In this paper, we have simulated a Symmetric Dual-gate Single-Si TFT which has three split floating n+ zones. This structure reduces the kink-effect drastically and improves the on-current. Due to the separated floating n+ zones, the transistor channel region is split into four zones with different lengths defined by a floating n+ region, This structure allows an effective reduction of the kink-effect depending on the length of two sub-channels. The on-current of the proposed dual-gate structure is 0.9mA while that of the conventional dual-gate structure is 0.5mA at a 12V drain voltage and a 7V gate voltage. This result shows a 80% enhancement in on-current. Moreover we observed the reduction of electric field in the channel region compared to conventional single-gate TFT and the reduction of the output conductance in the saturation region. In addition, we also confirmed the reduction of hole concentration in the channel region so that the kink-effect reduces effectively.
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