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SCIE
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A Study on the Properties of Tellurium-oxide Thin Films Based on the Variable Sputtering Gas Ratio
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학술지명
권호사항
발행연도
2015
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
1744-1749(6쪽)
KCI 피인용횟수
14
제공처
The properties of tellurium-oxide (TeOx) thin films were investigated for applications in optical devices. The TeOx thin films were deposited by using the radio-frequency (RF) reactive sputtering method with TeO2 composite and Te metallic targets under various sputtering gas ratios. The effect of the Ar:O2 gas ratio on the composition and on the structural and optical properties of the TeOx thin films was evaluated for the two types of targets. The variation of the stoichiometry of the TeOx thin films was observed by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The formation of the Te-O bond was confirmed by using Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR). The O:Te atomic ratio of the TeOx thin films was divided into two ranges (1 < x < 2 and 2 < x < 3) for increasing O2 content in the sputtering gas mixture. Different optical properties were observed in the two groups of TeOx thin films. These study results demonstrated that TeOx is a useful material for realizing optical devices based on various O:Te atomic ratios.
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기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.47 | 0.15 | 0.31 |
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0.26 | 0.2 | 0.26 | 0.03 |
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