KCI등재
Cu 범프와 Sn 범프의 접속구조를 이용한 RF 패키지용 플립칩 공정 = Flip Chip Process for RF Packages Using Joint Structures of Cu and Sn Bumps
저자
최정열 (홍익대학교) ; 김민영 (홍익대학교) ; 임수겸 (홍익대학교) ; 오태성 (홍익대학교) ; Choi, J.Y. ; Kim, M.Y. ; Lim, S.K. ; Oh, T.S.
발행기관
학술지명
마이크로전자 및 패키징학회지(Jornal of the Microelectronics and Packaging Society)
권호사항
발행연도
2009
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
67-73(7쪽)
KCI 피인용횟수
9
제공처
Cu pillar 범프를 사용한 플립칩 접속부는 솔더범프 접속부에 비해 칩과 기판사이의 거리를 감소시키지 않으면서 미세피치 접속이 가능하기 때문에, 특히 기생 캐패시턴스를 억제하기 위해 칩과 기판사이의 큰 거리가 요구되는 RF 패키지에서 유용한 칩 접속공정이다. 본 논문에서는 칩에는 Cu pillar 범프, 기판에는 Sn 범프를 전기도금하고 이들을 플립칩 본딩하여 Cu pillar 범프 접속부를 형성 한 후, Sn 전기도금 범프의 높이에 따른 Cu pillar 범프 접속부의 접속저항과 칩 전단하중을 측정하였다. 전기도금한 Sn 범프의 높이를 5 ${\mu}m$에서 30 ${\mu}m$로 증가시킴에 따라 Cu pillar 범프 접속부의 접속저항이 31.7 $m{\Omega}$에서 13.8 $m{\Omega}$로 향상되었으며, 칩 전단하중이 3.8N에서 6.8N으로 증가하였다. 반면에 접속부의 종횡비는 1.3에서 0.9로 저하하였으며, 접속부의 종횡비, 접속저항 및 칩 전단하중의 변화거동으로부터 Sn 전기도금 범프의 최적 높이는 20 ${\mu}m$로 판단되었다.
더보기Compared to the chip-bonding process utilizing solder bumps, flip chip process using Cu pillar bumps can accomplish fine-pitch interconnection without compromising stand-off height. Cu pillar bump technology is one of the most promising chip-mounting process for RF packages where large gap between a chip and a substrate is required in order to suppress the parasitic capacitance. In this study, Cu pillar bumps and Sn bumps were electroplated on a chip and a substrate, respectively, and were flip-chip bonded together. Contact resistance and chip shear force of the Cu pillar bump joints were measured with variation of the electroplated Sn-bump height. With increasing the Sn-bump height from 5 ${\mu}m$ to 30 ${\mu}m$, the contact resistance was improved from 31.7 $m{\Omega}$ to 13.8 $m{\Omega}$ and the chip shear force increased from 3.8 N to 6.8 N. On the contrary, the aspect ratio of the Cu pillar bump joint decreased from 1.3 to 0.9. Based on the variation behaviors of the contact resistance, the chip shear force, and the aspect ratio, the optimum height of the electroplated Sn bump could be thought as 20 ${\mu}m$.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2022 | 평가예정 | 계속평가 신청대상 (계속평가) | |
2021-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (재인증) | KCI후보 |
2018-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-06-28 | 학술지명변경 | 한글명 : 마이크전자 및 패키징학회지 -> 마이크로전자 및 패키징학회지외국어명 : The Microelectronics and Packaging Society -> Jornal of the Microelectronics and Packaging Society | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2001-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.48 | 0.48 | 0.43 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.39 | 0.35 | 0.299 | 0.35 |
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