KCI등재
산화막 CMP에서 패드 두께가 연마율과 연마 불균일도에 미치는 영향 = Effect of Pad Thickness on Removal Rate and Within Wafer Non-Uniformity in Oxide CMP
저자
배재현 (부산대학교 기계공학부 정밀가공시스템전공) ; 이현섭 (Univ. of California at Berkeley) ; 박재홍 (Nitta Haas Inc.(Japan)) ; 니시자와 히데키 ; 키노시타 마사하루 ; 정해도 (부산대학교) ; Bae, Jae-Hyun ; Lee, Hyun-Seop ; Park, Jae-Hong ; Nishizawa, Hideaki ; Kinoshita, Masaharu ; Jeong, Hae-Do
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2010
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
358-363(6쪽)
KCI 피인용횟수
3
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제공처
The polishing pad is important element for polishing characteristic such as material removal rate(MRR) and within wafer non-uniformity(WIWNU) in the chemical mechanical planarization(CMP). The result of the viscoelasticity measurement shows that 1st elastic modulus is increased and 2nd elastic modulus is decreased when the top pad is thickened. The finite element analysis(FEA) was conducted to predict characteristic of polishing behavior according to the pad thickness. The result of polishing experiment was similar with the FEA, and it shows that the 1st elastic modulus affects instantaneous deformation of pad related to MRR. And the 2nd elastic modulus has an effect on WIWNU due to the viscoelasticity deformation of pad.
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2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
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0.14 | 0.14 | 0.247 | 0.06 |
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