KCI등재
SCOPUS
GaN 후막의 구조적 결함이 전기적 특성에 미치는 영향 = Effect of structural disorder to the electrical properties of thick GaN film
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2006
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KCI등재,SCOPUS
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278-283(6쪽)
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0
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GaN thick films ( $\sim$ 250 m) were grown on (0001) sapphire
substrates with a thin AlN buffer layer ( $\sim$ 80 nm). The thick
films were deposited by using metalorganic hydride vapor phase
epitaxy (MO-HVPE). The structural and the electrical properties were
investigated using high-resolution $X$-ray diffractometer (HRXRD)
and temperature-dependent Hall effect measurements. The high-density
dislocations concentrated on the grain boundaries were found to have
a strong influence on the carrier transport mechanism in the layer.
Al$_2$O$_3$ (0001) 기판 위에 AlN 버퍼층을 metal organic hydride
vapor phase epitaxy (MO-HVPE)법으로 성장시키고, GaN 후막을 hydride
vapor phase epitaxy (HVPE)법을 사용해서 성장시켰다. 성장된 GaN
후막의 전기적인 특성과 구조적인 특성을 평가하기 위해서, 온도 변화에
따른 Hall 효과 측정과 high resolution $X$-ray diffractometer (HRXRD)
측정을 실시 하였다. HRXRD에서 측정된 높은 전위 밀도와 온도 변화에
따른 Hall 효과 측정에서 얻어진 높은 전하농도 및 낮은 이동도로부터
결함 및 전위 등의 구조적 불균일성이 전자의 이동에 많은 제한을 준다는
사실을 확인하였다. 또한 GaN 내의 결함 구조가 전기적인 특성에 미치는
영향을 포텐셜 장벽 모델 (potential barrier model) 을 이용해
설명하였다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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