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광검출기용 다결정 실리콘 박막의 전도특성 분석을 통한 결정립계의 모형화 = Modelling of Grain Boundary in Polysilicon Film for Photodetector Through Current-Voltage Analysis
저자
이재성 (위덕대학교)
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2020
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
255-262(8쪽)
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0
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제공처
소장기관
Grain boundaries play a major role in determining device performance, particularly of polysilicon-based photodetectors. Through the post-annealing of as-deposited polysilicon and then, the analysis of electric behavior for a metal-polysilicon-metal (MSM) photodetector, we were able to identify the influence of grain boundaries. A modified model of polysilicon grain boundaries in the MSM structure is presented, which uses a crystalline-interfacial layer-SiOx layer- interfacial layer-crystalline system that is similar to the Si-SiO2 system in MOS device. Hydrogen passivation was achieved through a hydrogen ion implantation process and was used to passivate the defects at both interfacial layers. The thin SiOx layer at the grain boundary can enhance the photosensitivity of an MSM photodetector by decreasing the dark current and increasing the light absorption.
더보기다결정 실리콘으로 구성된 광 검출기에서 소자의 성능은 결정립계(grain boundary)의 전도 특성에 의존하게 된다. 본 연구에서는 제조된 다결정 실리콘의 후속 공정에 따른 금속-다결정 실리콘-금속(MSM) 소자의 전기적 특성을 비교하여 결정립계의 영향을 조사하였다. 실험 결과를 통해 보완된 결정립계 모형인 Si 결정립/계면/SiOx 비정질/계면/Si 결정립 구조를 제안하였다. 이는 MOS 소자의 SiO2-Si 시스템과 유사하다. 두 계면은 수소 이온 주입공정을 통해 수소로 부동태화할 수 있었다. 결정립계에 존재하는 SiOx 비정질 박막은 MSM 광 검출기에서 암전류를 감소시키고, 광전류를 증가시키는 역할을 하게 되어 광응답 특성을 개선시키는 효과를 가져왔다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2026 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2013-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-05-30 | 학회명변경 | 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2001-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1998-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.13 | 0.13 | 0.13 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.14 | 0.14 | 0.247 | 0.06 |
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